[發(fā)明專利]高溫耦合場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810353372.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110388876B | 公開(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱超;張玉國(guó);孫紅勝;杜繼東;何立平;張?chǎng)?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京振興計(jì)量測(cè)試研究所 |
| 主分類號(hào): | G01B11/02 | 分類號(hào): | G01B11/02;G01B11/16;G01J5/48;G01J5/08 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100074 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高溫 耦合 測(cè)量 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明提供了一種高溫耦合場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng),該系統(tǒng)包括第一和第二光學(xué)組件、第一和第二探測(cè)組件以及測(cè)量控制處理單元,第一光學(xué)組件用于將被測(cè)目標(biāo)的第一可見光圖像和第一近紅外圖像成像在第一探測(cè)組件上,第二光學(xué)組件用于將被測(cè)目標(biāo)的第二可見光圖像和第二近紅外圖像成像在第二探測(cè)組件上,測(cè)量控制處理單元根據(jù)第一可見光圖像以及第二可見光圖像獲取被測(cè)目標(biāo)的位移及應(yīng)變,測(cè)量控制處理單元根據(jù)第一近紅外圖像以及第一可見光圖像和/或第二近紅外圖像以及第一可見光圖像獲取被測(cè)目標(biāo)的溫度。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案,以解決現(xiàn)有技術(shù)中單參數(shù)獨(dú)立測(cè)量方法存在多數(shù)據(jù)融合匹配精度差、參數(shù)測(cè)量時(shí)間不同步、使用復(fù)雜以及設(shè)備尺寸大的技術(shù)問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及多參數(shù)測(cè)量的技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高溫耦合場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在工業(yè)生產(chǎn)、航空航天等領(lǐng)域,普遍存在包含溫度、位移及應(yīng)變等熱力參數(shù)的高溫耦合場(chǎng)測(cè)量需求。當(dāng)前,對(duì)于上述參數(shù)的測(cè)量,主要是采用單參數(shù)獨(dú)立測(cè)量方法。溫度參數(shù)的獲取方法主要包括接觸式(熱電偶、熱電阻等)及非接觸式輻射測(cè)溫方法。位移及應(yīng)變參數(shù)可通過(guò)接觸式應(yīng)變片及非接觸式圖像處理測(cè)量方法獲取。其中,非接觸測(cè)量方法具有響應(yīng)速度快、動(dòng)態(tài)特性好等優(yōu)點(diǎn)且對(duì)被測(cè)目標(biāo)無(wú)干擾,應(yīng)用較為普遍。然而,在現(xiàn)有技術(shù)中,使用單參數(shù)獨(dú)立測(cè)量方法存在多數(shù)據(jù)融合匹配精度差、參數(shù)測(cè)量時(shí)間不同步以及耦合場(chǎng)反演復(fù)雜等問(wèn)題,且多個(gè)單參數(shù)測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)龐大,不易于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量。此外,傳統(tǒng)的雙目視覺測(cè)量系統(tǒng)在進(jìn)行高溫耦合場(chǎng)測(cè)量時(shí),通常是通過(guò)調(diào)節(jié)探測(cè)器位置及角度以完成目標(biāo)的圖像采集,此種方法操作復(fù)雜,且系統(tǒng)設(shè)備尺寸大、便攜性差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種高溫耦合場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng),能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中單參數(shù)獨(dú)立測(cè)量方法存在多數(shù)據(jù)融合匹配精度差、參數(shù)測(cè)量時(shí)間不同步、使用復(fù)雜以及設(shè)備尺寸大的技術(shù)問(wèn)題。
本發(fā)明提供了一種高溫耦合場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng),高溫耦合場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)包括:第一光學(xué)組件和第二光學(xué)組件,第一光學(xué)組件和第二光學(xué)組件間隔設(shè)置在被測(cè)目標(biāo)的左右兩側(cè);第一探測(cè)組件和第二探測(cè)組件,第一光學(xué)組件用于將被測(cè)目標(biāo)左側(cè)的第一可見光圖像和第一近紅外圖像成像在第一探測(cè)組件上,第二光學(xué)組件用于將被測(cè)目標(biāo)右側(cè)的第二可見光圖像和第二近紅外圖像成像在第二探測(cè)組件上;測(cè)量控制處理單元,測(cè)量控制處理單元分別與第一探測(cè)組件和第二探測(cè)組件連接,測(cè)量控制處理單元根據(jù)第一探測(cè)組件中的第一可見光圖像以及第二探測(cè)組件中的第二可見光圖像獲取被測(cè)目標(biāo)的位移及應(yīng)變,測(cè)量控制處理單元根據(jù)第一探測(cè)組件中的第一近紅外圖像以及第一可見光圖像和/或第二探測(cè)組件中的第二近紅外圖像以及第二可見光圖像獲取被測(cè)目標(biāo)的溫度。
進(jìn)一步地,測(cè)量控制處理單元利用雙目視覺測(cè)量原理并根據(jù)第一可見光圖像和第二可見光圖像中的多個(gè)特征圖案的空間位置變化獲取被測(cè)目標(biāo)的位移及應(yīng)變,測(cè)量控制處理單元利用非接觸輻射測(cè)溫原理并根據(jù)多個(gè)波長(zhǎng)下的第一近紅外圖像以及第一可見光圖像和/或多個(gè)波長(zhǎng)下的第二近紅外圖像以及第二可見光圖像獲取被測(cè)目標(biāo)的溫度;測(cè)量控制處理單元在獲得被測(cè)目標(biāo)上的各個(gè)測(cè)量點(diǎn)的位移、應(yīng)變和溫度參數(shù)后,通過(guò)對(duì)每一個(gè)點(diǎn)的位移、應(yīng)變和溫度參數(shù)進(jìn)行融合即可獲得該點(diǎn)的耦合參數(shù),通過(guò)對(duì)多個(gè)點(diǎn)的耦合參數(shù)進(jìn)行處理即可獲得被測(cè)目標(biāo)的高溫耦合場(chǎng)。
進(jìn)一步地,第一光學(xué)組件包括第一成像光學(xué)單元、第一衰減片和第一濾光片組,第一衰減片和第一濾光片組相互平行設(shè)置在第一成像光學(xué)單元內(nèi),第一成像光學(xué)單元用于將被測(cè)目標(biāo)的圖像成像在第一探測(cè)組件上;第二光學(xué)組件包括第二成像光學(xué)單元、第二衰減片和第二濾光片組,第二衰減片和第二濾光片組相互平行設(shè)置在第二成像光學(xué)單元內(nèi),第二成像光學(xué)單元用于將被測(cè)目標(biāo)的圖像成像在第二探測(cè)組件上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京振興計(jì)量測(cè)試研究所,未經(jīng)北京振興計(jì)量測(cè)試研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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