[發明專利]一種氮氧化鋁基體的熒光陶瓷及其制備方法有效
| 申請號： | 201810352647.9 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN110386820B | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 田梓峰;周萌;許顏正 | 申請（專利權）人： | 深圳光峰科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64;C09K11/77 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 王新春;姚鵬 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區粵*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋁 基體 熒光 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種復相熒光陶瓷，其特征在于，所述復相熒光陶瓷包括作為基體相的氮氧化鋁相、均勻分布在所述基體相中的熒光粉以及與所述熒光粉和所述氮氧化鋁相混合在一起的氧化鋁相；所述熒光粉和所述氮氧化鋁相經由所述氧化鋁相彼此隔開；所述氧化鋁相包覆在所述熒光粉或所述氮氧化鋁相的表面上。
2.如權利要求1所述的復相熒光陶瓷，其特征在于，
所述熒光粉為YAG:Ce熒光粉或LuAG:Ce熒光粉。
3.如權利要求1所述的復相熒光陶瓷，其特征在于，
所述氧化鋁相的厚度為0.05～5μm。
4.如權利要求1所述的復相熒光陶瓷，其特征在于，
所述熒光粉占所述復相熒光陶瓷總體積的20～80％。
5.如權利要求1所述的復相熒光陶瓷，其特征在于，
所述氮氧化鋁相中還包括激活離子Mn2+。
6.一種復相熒光陶瓷的制備方法，所述方法包括以下步驟：
S1：在熒光粉或氮氧化鋁粉體的表面上包覆一層氧化鋁，所述熒光粉的粒徑大小為5～30μm并且所述氮氧化鋁粉體的粒徑大小為0.05～1μm；
S2：將S1中制備得到的包覆后的產物與氮氧化鋁粉體或熒光粉、助劑和溶劑均勻混合球磨以制得包含這些原料的混合漿料；
S3：將S2中制備得到的所述混合漿料干燥并干壓成型，然后通過等靜壓壓制來獲得素坯，并對所述素坯進行脫脂處理以得到陶瓷坯體；
S4：對S3中制備得到的所述陶瓷坯體進行燒結處理以得到包含熒光粉、氧化鋁相和氮氧化鋁相的復相熒光陶瓷。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟S4之后還包括步驟S5：對S4中制備得到的所述復相熒光陶瓷進行后處理，所述后處理包括減薄處理和拋光處理。
8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，
在S1中，在熒光粉或氮氧化鋁粉體的表面上包覆一層氧化鋁是通過如下方法實現的：采用共沉淀的方法于熒光粉或氮氧化鋁粉體的表面上包覆一層鋁鹽，然后使包覆有一層鋁鹽的熒光粉或氮氧化鋁粉體經過熱處理，從而得到表面包覆有一層氧化鋁的熒光粉或氮氧化鋁粉體。
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