[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201810352537.2
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN110137169A
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 蔡依蕓;陳志宏;陳勁甫
• 申請（專利權）人: 力智電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底，定義有襯墊區域，所述襯底具有第一區與第二區，其中所述第一區具有凹口，所述第二區配置在所述凹口中，且所述襯墊區域與所述第一區及所述第二區部分重疊；

靜電放電保護元件，位于所述襯底的所述第一區；

電阻元件，配置在所述襯底的所述第二區；以及

第一金屬層，設置在所述靜電放電保護元件與所述電阻元件上方，且電性連接至所述靜電放電保護元件與所述電阻元件。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

絕緣層，配置在所述靜電放電保護元件與所述電阻元件上方，第一接觸部、第二接觸部及第三接觸部配置在所述絕緣層中。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述靜電放電保護元件為具凹口的環狀，所述第一接觸部呈連續環狀且位于所述環狀的內側。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述靜電放電保護元件為具凹口的環狀，且所述第三接觸部呈C型且位于所述環狀的外側。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬層通過所述第一接觸部連接所述靜電放電保護元件，所述第一金屬層通過所述第二接觸部連接所述電阻元件，且第二金屬層通過所述第三接觸部連接所述靜電放電保護元件。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述靜電放電保護元件包括：

多個第一摻雜層，具有第一導電型且配置在所述襯底上；以及

多個第二摻雜層，具有第二導電型且配置在所述襯底上，所述第二導電型與所述第一導電型相反，

其中所述第一摻雜層以及所述第二摻雜層交替配置。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述電阻元件包括第三摻雜層，其具有第一導電型且配置在所述襯底上。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬層通過第二接觸部與所述第三摻雜層電性連接，且第三金屬層通過第四接觸部與所述第三摻雜層電性連接。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三摻雜層包括：

第一端部，配置在靠近所述第一區；

第二端部，配置在遠離所述第一區；以及

連接部，連接所述第一端部與所述第二端部，

其中所述第一端部與所述第二端部的延伸方向與所述連接部的延伸方向不同。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，第一金屬層通過第二接觸部與所述第三摻雜層的所述第一端部電性連接，且第三金屬層通過第四接觸部與所述第三摻雜層的所述第二端部電性連接。