[發(fā)明專利]一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路及其方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810351791.0 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108335666B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李晨;賴良德;張彤;張曉陽 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | G09G3/3208 | 分類號: | G09G3/3208 |
| 代理公司: | 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206 | 代理人: | 張偉 |
| 地址: | 210096 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 補償 驅動 閾值 電壓 漂移 oled 像素 電路 及其 方法 | ||
1.一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路,其特征在于,包括第一金屬-氧化物-半導體場效應管、第二金屬-氧化物-半導體場效應管、第三金屬-氧化物-半導體場效應管、第四金屬-氧化物-半導體場效應管、第五金屬-氧化物-半導體場效應管、第六金屬-氧化物-半導體場效應管、存儲電容和有機發(fā)光二極管;
其中,所述第一金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極接入第一掃描信號,其源級接入數(shù)據(jù)信號,其漏極電性連接于第一節(jié)點,其襯底接入地信號;所述第二金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極接入第二掃描信號,其源級接入參考電壓,其漏極電性連接于第一節(jié)點,其襯底接入地信號;所述第三金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極電性連接于第二節(jié)點,其源級電性連接于第一節(jié)點,其漏極電性連接于第三節(jié)點,其襯底接入地信號;所述第四金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極接入第一掃描信號,其源級電性連接于第二節(jié)點,其漏極電性連接于第三節(jié)點,其襯底接入地信號;所述第五金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極接入第二掃描信號,其源級電性連接于第三節(jié)點,其漏極電性連接于第四節(jié)點,其襯底接入地信號;所述第六金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極接入第三掃描信號,其源級電性連接于第三節(jié)點,其漏極接入電源正電壓,其襯底接入地信號;所述存儲電容的一端電性連接于第二節(jié)點,其另一端接入地信號;所述有機發(fā)光二極管的陽極接入電源正電壓,其陰極電性連接于第四節(jié)點。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路,其特征在于,所述第一掃描信號、第二掃描信號、第三掃描信號均由外部時序控制器提供。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路,其特征在于,所述電源正電壓、參考電壓、地信號均為直流電壓信號。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路,其特征在于,所述第一金屬-氧化物-半導體場效應管、第二金屬-氧化物-半導體場效應管、第三金屬-氧化物-半導體場效應管、第四金屬-氧化物-半導體場效應管、第五金屬-氧化物-半導體場效應管、第六金屬-氧化物-半導體場效應管均為N型金屬-氧化物-半導體場效應管。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路,其特征在于,所述第一金屬-氧化物-半導體場效應管、第二金屬-氧化物-半導體場效應管、第四金屬-氧化物-半導體場效應管、第五金屬-氧化物-半導體場效應管、第六金屬-氧化物-半導體場效應管是開關管,所述第三金屬-氧化物-半導體場效應管是驅動管。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路,其特征在于,所述第一掃描信號、第二掃描信號、第三掃描信號相組合先后對應于一數(shù)據(jù)電壓準備階段、一閾值電壓補償階段、一發(fā)光階段。
7.根據(jù)權利要求6所述的一種補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路,其特征在于,在所述數(shù)據(jù)電壓準備階段,所述第一掃描信號置為高電平,所述第二掃描信號置為低電平,所述第三掃描信號置為高電平;
在所述閾值電壓補償階段,所述第一掃描信號置為高電平,所述第二掃描信號置為低電平,所述第三掃描信號置為低電平;
在所述發(fā)光階段,所述第一掃描信號置為低電平,所述第二掃描信號置為高電平,所述第三掃描信號置為低電平。
8.一種補償驅動管閾值電壓漂移的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、提供一如權利要求1-6任一項所述的補償驅動管閾值電壓漂移的硅基OLED像素電路;
步驟2、進入數(shù)據(jù)電壓準備階段,所述第一掃描信號置為高電平,所述第二掃描信
號置為低電平,所述第三掃描信號置為高電平;
步驟3、進入閾值電壓補償階段,所述第一掃描信號置為高電平,所述第二掃描信
號置為低電平,所述第三掃描信號置為低電平;
步驟4、進入發(fā)光階段,所述第一掃描信號置為低電平,所述第二掃描信號置為高
電平,所述第三掃描信號置為低電平。
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