[發明專利]緩沖器電路有效
| 申請號： | 201810351678.2 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN110391808B | 公開（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發明（設計）人： | 徐薪承;曹太和;林柏青 | 申請（專利權）人： | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/003 | 分類號： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 梁麗超;田喜慶 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 緩沖器 電路 | ||
1.一種緩沖器電路，包含：
一預驅動器，用來依據多個電壓節點的電壓、一驅動器輸出信號以及多個控制信號，提供多個驅動信號；
一高壓耐受輸入緩沖器，用來依據該多個電壓節點的電壓、該多個驅動信號的至少其中之一、多個偏壓以及信號墊的電壓，產生一輸入信號；
一電壓檢測與偏壓電路，用來依據該多個電壓節點的電壓、信號墊的電壓以及該多個驅動信號，提供多個偏壓給一高壓耐受輸出緩沖器；
該高壓耐受輸出緩沖器，用來依據該多個電壓節點的電壓、該多個驅動信號的至少其中之一以及該多個偏壓產生一輸出信號，該高壓耐受輸出緩沖器包含：
多個P型金屬氧化物半導體晶體管，用來依據該多個驅動信號的至少其中之一以及該多個偏壓的N個偏壓，決定多個PMOS晶體管的導通狀態，其中該N為正整數；
多個N型金屬氧化物半導體晶體管，用來依據該多個驅動信號的至少其中之一以及該多個偏壓的M個偏壓，決定多個NMOS晶體管的導通狀態，其中該M為正整數，且該輸出信號取決于該多個PMOS晶體管的導通狀態與該多個NMOS晶體管的導通狀態；
一信號墊，用來輸出該輸出信號；以及
一P阱偏壓電路，用來分別提供多個NMOS基極偏壓給該多個NMOS晶體管的基極。
2.如權利要求1所述的緩沖器電路，其中該N大于一，且該N個偏壓是分別由N個不同的偏壓電路產生。
3.如權利要求1所述的緩沖器電路，其中該M大于一，且該M個偏壓是分別由M個不同的偏壓電路產生。
4.如權利要求1所述的緩沖器電路，進一步包含：
一N阱偏壓電路，用來分別提供多個PMOS基極偏壓給該多個PMOS晶體管的基極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞昱半導體股份有限公司，未經瑞昱半導體股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810351678.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：光學旋鈕裝置及光學檢測方法
- 下一篇：堆疊晶體管電路的應力降低
