[發(fā)明專利]基于氮化鋁薄膜的日盲型柔性紫外光探測器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810351665.5 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108447945A | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸小力;史澤堃;張稀鐵;王濤;姚會娟;張進(jìn)成;郝躍 | 申請(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 陜西電子工業(yè)專利中心 61205 | 代理人: | 王品華;朱紅星 |
| 地址: | 710071 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化鋁薄膜 紫外光探測器 日盲型 聚甲基丙烯酸甲酯 日盲型紫外探測器 靈敏度 探測器 襯底 脈沖激光沉積技術(shù) 紫外探測材料 半導(dǎo)體器件 光生載流子 硫酸銨溶液 氧化鋅薄膜 藍(lán)寶石 丙酮溶液 柔性電子 柔性透光 氧化鋅做 犧牲層 電極 可用 旋涂 制備 生長 制作 | ||
本發(fā)明公開了一種基于氮化鋁薄膜的日盲型柔性紫外光探測器,主要解決現(xiàn)有日盲型紫外光探測器靈敏度低且不能彎曲的問題。其技術(shù)方案是:1.使用脈沖激光沉積技術(shù),在氧化鋅做犧牲層的藍(lán)寶石襯底上生長氮化鋁薄膜;2.在氮化鋁薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用硫酸銨溶液除去氧化鋅薄膜;3.將氮化鋁薄膜轉(zhuǎn)移到后續(xù)所需的柔性透光襯底上,用丙酮溶液除去聚甲基丙烯酸甲酯;4.在氮化鋁薄膜表面加電極,完成柔性日盲型紫外探測器的制作。本發(fā)明采用氮化鋁薄膜作為紫外探測材料,提高了探測器收集光生載流子的速度,提高了日盲型紫外探測器的靈敏度,實現(xiàn)了探測器的彎曲,滿足柔性電子設(shè)備的要求,可用于半導(dǎo)體器件的制備。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種日盲型柔性紫外光探測器,可用于半導(dǎo)體器件的制備。
背景技術(shù)
太陽紫外輻射在通過大氣層時,大氣層中的臭氧層對200~280nm波段的紫外輻射具有強(qiáng)烈的吸收作用,這一波段紫外輻射在近地大氣中幾乎不存在,形成所謂的日盲區(qū)。日盲型紫外探測器利用日盲區(qū)的紫外波段探測目標(biāo),其背景干擾小,且不需要低溫致冷,體積小,重量輕,與硅紫外探測器、光電倍增管等現(xiàn)行紫外探測器相比具有獨(dú)特的優(yōu)勢。它的工作溫度高、對環(huán)境適應(yīng)能力和抗輻照能力強(qiáng)、紫外光/可見光抑制比高、工作時不需要濾波器。可廣泛應(yīng)用于紫外告警、紫外制導(dǎo)、紫外通信領(lǐng)域,還可以用來監(jiān)測環(huán)境及火焰報警,在冶金、電力、醫(yī)藥等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。
柔性電子器件是將電子器件制作在柔性、可延展的有機(jī)物或薄金屬襯底上的一種新興電子技術(shù),因其獨(dú)有的延展性,近年來在電子、醫(yī)療、能源和國防等領(lǐng)域展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景,如柔性顯示器、柔性可穿戴設(shè)備、印刷RFID、半球形數(shù)碼相機(jī)、表皮電子和柔性太陽能電池。實現(xiàn)日盲型紫外探測器的柔性功能,對柔性電子探測設(shè)備有很重要的意義。
氮化鋁是具有多種物理和化學(xué)性質(zhì)的寬帶隙半導(dǎo)體,目前已經(jīng)是功率器件,光電探測器,聲學(xué),壓電器件等最有希望的材料之一。在日盲區(qū)紫外探測范圍,氮化鋁具有禁帶寬度大、導(dǎo)熱性能好、電子飄移飽和速度高以及化學(xué)穩(wěn)定性高的優(yōu)點,隨著鋁成分的增加,禁帶寬度在3.4~6.2eV之間連續(xù)可調(diào),對應(yīng)波長范圍為200~365nm,是日盲型紫外探測器的理想材料。目前的日盲型紫外光探測器主要是基于氧化鋅和氧化鎵,然而氧化鋅和氧化鎵材料不能實現(xiàn)柔性功能,且由于氧化鋅和氧化鎵材料的背景載流子大,檢測光生載流子的效率并不高,因而探測器靈敏度低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對上述已有技術(shù)的不足,提出一種基于氮化鋁自支撐薄膜的日盲型柔性紫外光探測器,以提高探測器靈敏度并實現(xiàn)柔性功能。
實現(xiàn)本發(fā)明目的技術(shù)關(guān)鍵是:使用脈沖激光沉積技術(shù)PLD,在藍(lán)寶石襯底上生長一層氧化鋅犧牲層薄膜,并在氧化鋅犧牲層薄膜上生長氮化鋁薄膜,然后用硫酸銨溶液腐蝕掉氧化鋅犧牲層,將氮化鋁薄膜轉(zhuǎn)移到后續(xù)需要的柔性襯底上,再加電極制作成柔性紫外探測器。其實現(xiàn)步驟包括如下:
(1)在藍(lán)寶石襯底上生長氧化鋅薄膜:
1a)將藍(lán)寶石襯底、氧化鋅靶材和氮化鋁靶材放入脈沖激光沉積系統(tǒng)的反應(yīng)室中,對反應(yīng)室抽真空;
1b)向反應(yīng)室中通入氧氣,使反應(yīng)室的氧壓維持在5*10-5mbar,設(shè)定激光器的能量密度為1.2J/cm2和頻率為6Hz,設(shè)定襯底的溫度為600℃,使激光器射出激光,燒灼氧化鋅靶材2500次,使燒灼出來的氧化鋅等離子體沉積在藍(lán)寶石襯底上,完成氧化鋅薄膜的生長;
(2)在氧化鋅薄膜上沉積一層氮化鋁薄膜:
調(diào)節(jié)通入反應(yīng)室的氧氣,使反應(yīng)室的氧壓維持在1.8*10-5mbar,設(shè)定激光器的能量密度為2.4J/cm2和頻率為6Hz,設(shè)定襯底的溫度為600℃,使激光器射出激光,燒灼氮化鋁靶材2500次,以在氧化鋅薄膜上沉積氮化鋁等離子體,得到氮化鋁薄膜;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安電子科技大學(xué),未經(jīng)西安電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810351665.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





