[發明專利]一種基于ALD技術的硅濕法腐蝕掩膜方法在審
| 申請號： | 201810350030.3 | 申請日： | 2018-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110386587A | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發明（設計）人： | 楊芳;張大成;郭俊敏;姜博巖;李婷;羅葵;王瑋;范澤新 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理有限公司 11200 | 代理人： | 俞達成 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩膜 腐蝕 硅濕法 硅片 硅片表面 淀積 制備 致密 保形覆蓋 殘余應力 腐蝕保護 高深寬比 可動結構 濕法腐蝕 抗腐蝕 微結構 減薄 金屬 敏感 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于ALD技術的硅濕法腐蝕掩膜方法，其步驟包括：
準備待腐蝕的硅片；
采用ALD技術在所述硅片表面上淀積一層硅濕法腐蝕掩膜；
對所述掩膜進行減薄，直至露出下方的硅片表面；
利用濕法腐蝕溶液對所述硅片進行腐蝕，獲得微結構。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片表面含有金屬結構，其采用的金屬材質包括鋁、鈦。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片表面包括槽道、微盲孔、微柱、臺階、針尖結構，其表面起伏不小于10μm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片表面含有可動結構，該可動結構包括微梁、梳齒、微鏡。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的材料包括氧化鉿。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，淀積所述掩膜的溫度為200-395℃。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的厚度為
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述掩膜進行減薄的工藝包括圖形化工藝，該圖形化工藝包括光刻、刻蝕。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕溶液為KOH溶液或TMAH溶液。
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