[發(fā)明專利]半導體存儲裝置以及半導體存儲裝置的讀出方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810349891.X | 申請日： | 2018-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN108735259B | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 佐野圣志 | 申請（專利權(quán)）人： | 拉碧斯半導體株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/22 | 分類號： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艷君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 以及 讀出 方法 | ||
1.一種半導體存儲裝置，包括：
第一位線；
第二位線，經(jīng)由第一開關(guān)與上述第一位線連接；
電荷傳輸部，包含與上述第二位線連接并且保持來自儲存有數(shù)據(jù)的存儲部的讀出電壓的第一保持部；與上述第一位線連接并且保持由于與上述第一保持部之間的電荷傳輸而產(chǎn)生的電壓的第二保持部；在上述第二位線上且設置在上述存儲部與上述第一保持部之間的第二開關(guān)；以及在上述第二位線上且設置在上述存儲部與上述第二開關(guān)之間的第三保持部，并且上述電荷傳輸部經(jīng)由上述第一位線在上述第一保持部與上述第二保持部之間傳輸電荷；以及
比較部，對上述第二保持部所保持的電壓和基準電壓進行比較。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，
上述電荷傳輸部切斷上述第一開關(guān)使上述第一保持部保持上述讀出電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，
上述電荷傳輸部具備在傳輸上述電荷時使上述第一位線的電位維持恒定的電位控制部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，
上述電荷傳輸部在傳輸上述電荷之前切斷上述第二開關(guān)并使上述第二保持部充電到預先決定的電壓，以便電荷從上述第二保持部向上述第一保持部傳輸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體存儲裝置，其中，
上述第二開關(guān)具備具有預先決定出的閾值的場效應晶體管，
上述電位控制部在進行上述電荷的傳輸時使上述第一位線的電位維持為從上述場效應晶體管的柵極電位減去上述閾值所得的目標電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，
還包含設定上述柵極電位的設定部，
上述設定部設定上述柵極電位，以使上述目標電位位于上述數(shù)據(jù)為0時的上述讀出電壓的分布與上述數(shù)據(jù)為1時的上述讀出電壓的分布之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，
上述存儲部具備鐵電體電容器。
8.一種半導體存儲裝置的讀出方法，使用了半導體存儲裝置，上述半導體存儲裝置包括：第一位線；第二位線，經(jīng)由第一開關(guān)與上述第一位線連接；電荷傳輸部，上述電荷傳輸部包含與上述第二位線連接并且保持來自儲存有數(shù)據(jù)的存儲部的讀出電壓的第一保持部；與上述第一位線連接并且保持由于與上述第一保持部之間的電荷傳輸而產(chǎn)生的電壓的第二保持部；在上述第二位線上設置在上述存儲部與上述第一保持部之間的第二開關(guān)；以及在上述第二位線上設置在上述存儲部與上述第二開關(guān)之間的第三保持部，并且上述電荷傳輸部經(jīng)由上述第一位線在上述第一保持部與上述第二保持部之間傳輸電荷；以及比較部，對上述第二保持部所保持的電壓和基準電壓進行比較，
通過上述電荷傳輸部，一邊進行切斷上述第一開關(guān)使上述第一保持部保持上述讀出電壓，并連接上述第一開關(guān)來將上述第一位線的電位維持恒定的控制，一邊進行上述電荷的傳輸。
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