[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201810348811.9
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN108735800A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 門島勝;井上真雄
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/792;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

本發明涉及半導體器件及其制造方法。為了改善半導體器件的性能，半導體器件包括在半導體基板上方的絕緣膜部。絕緣膜部包括包含硅和氧的絕緣膜、包含硅和氮的第一電荷存儲膜、包含硅和氧的絕緣膜、包含硅和氮的第二電荷存儲膜以及包含硅和氧的絕緣膜。第一電荷存儲膜由兩個電荷存儲膜構成。

相關申請的交叉參考

2017年4月19日提交的日本專利申請No.2017-082900的公開，包括說明書、附圖和摘要，通過引用的方式將其全部并入本文。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件及其制造方法，并且具體地涉及一種應用于以混合方式包括非易失性存儲器的半導體器件的有效技術及其制造方法。

背景技術

日本未經審查的專利申請公開No.2016-72470公開了一種以混合方式包括非易失性存儲器的半導體器件的制造方法。在該制造方法中，通過使用包含水的處理液體，在電荷存儲部的厚度方向上的中間位置形成包含薄氧化膜的絕緣膜。

發明內容

本申請的發明人正在研究如何在以混合方式包括非易失性存儲器的半導體器件中在電荷存儲部的厚度方向上的中間位置形成包含薄氧化膜的絕緣膜，以及半導體器件的制造方法。

希望改善半導體器件中的半導體器件的性能和上述制造方法。

從本說明書和附圖的描述中，其他目標和新的特征將變得明顯。

根據一實施例的半導體器件包括形成在半導體基板上方的絕緣膜部。該絕緣膜部包括包含硅和氧的第一絕緣膜、形成在第一絕緣膜上方并且包含硅和氮的第二絕緣膜、形成在第二絕緣膜上方并且包含硅和氧的第三絕緣膜、形成在第三絕緣膜上方并且包含硅和氮的第四絕緣膜，以及形成在第四絕緣膜上方并且包含硅和氧的第五絕緣膜。第二絕緣膜包括下層絕緣膜和上層絕緣膜。

根據實施例，能夠改善半導體器件的性能。

附圖說明

圖1是根據本實施例的半導體器件的主要部分的橫截面圖。

圖2是根據本實施例的半導體器件的主要部分的橫截面圖。

圖3圖示圖示了非易失性存儲器的存儲器陣列結構和操作條件的圖示。

圖4是圖示根據本實施例的半導體器件的制造過程的流程圖。

圖5是圖示根據本實施例的半導體器件的制造過程的部分的流程圖。

圖6是在制造過程期間根據本實施例的半導體器件的主要部分的橫截面圖。

圖7是在圖6所示的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。

圖8是在圖7之后的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。

圖9是在圖8之后的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。

圖10是在圖9之后的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。

圖11是在圖10之后的制造過程中半導體器件的主要部分的橫截面圖。

圖12是在圖11所示的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。

圖13是在圖12之后的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。

圖14是在圖13之后的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。

圖15是在圖14之后的制造過程中半導體器件的主要部分的橫截面圖。

圖16是在圖15之后的制造過程中半導體器件的主要部分的放大橫截面圖。