[發明專利]半導體存儲器件及半導體存儲器制造裝置有效
| 申請號： | 201810348587.3 | 申請日： | 2018-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN109390369B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發明（設計）人： | 金哉勛 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H10B61/00 | 分類號： | H10B61/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 器件 存儲器 制造 裝置 | ||
第一存儲器件包括具有多個沉積層的第一磁阻單元。第二存儲器件包括具有多個沉積層的第二磁阻單元。第二磁阻單元的所述多個沉積層的每個對應于第一磁阻單元的所述多個沉積層中的一個。第二磁阻單元的所述多個沉積層中的一個比第一磁阻單元的所述多個沉積層中的對應沉積層更薄。
技術領域
本發明構思涉及半導體存儲器件及半導體存儲器制造裝置。
背景技術
磁存儲器件包括磁隧道結(MTJ)。MTJ包括兩個磁層和位于所述磁層之間的絕緣層。MTJ具有根據兩個磁層的磁化方向而變化的電阻值。MTJ的電阻值在兩個磁層的磁化方向彼此相反時增大，并且在兩個磁層的磁化方向彼此平行時減小。數據利用根據兩個磁層的磁化方向的MTJ的電阻值之間的差異被寫入磁存儲器件或從磁存儲器件被讀取。
發明內容
根據本發明構思的一示例性實施方式，一種半導體存儲器件被提供如下。第一存儲器件包括具有多個沉積層的第一磁阻單元。第二存儲器件包括具有多個沉積層的第二磁阻單元。第二磁阻單元的所述多個沉積層的每個對應于第一磁阻單元的所述多個沉積層中的一個。第二磁阻單元的所述多個沉積層中的一個比第一磁阻單元的所述多個沉積層中的對應沉積層更薄。
根據本發明構思的一示例性實施方式，一種半導體存儲器件被提供如下。位于第一存儲區域中的第一存儲器件包括第一磁阻單元。位于第二存儲區域中的第二存儲器件包括第二磁阻單元。第一存儲器件具有比第二存儲器件更高的操作速度和更低的保持特性。
根據本發明構思的一示例性實施方式，一種半導體存儲器制造裝置被提供如下。晶片支托部支撐半導體晶片。濺射靶支托部傾斜地安置在晶片支托部上方。遮蔽板插置在濺射靶支托部與晶片支托部之間。遮蔽板包括第一暴露區域和第二暴露區域。第一暴露區域大于第二暴露區域。
附圖說明
通過參照附圖詳細描述本發明構思的示例性實施方式，本發明構思的這些及另外的特征將變得更加明顯，附圖中：
圖1是根據本發明構思的一示例性實施方式的半導體存儲器件的示意框圖；
圖2示出形成在圖1的第一存儲區域和第二存儲區域中的存儲器件的縱向剖視圖；
圖3是示出按照構成根據本發明構思的示例性實施方式的半導體存儲器件的每個存儲器件的蓋層的厚度而測得的開關電壓(Vsw)的曲線圖；
圖4是示出按照構成根據本發明構思的示例性實施方式的半導體存儲器件的每個存儲器件的蓋層的厚度而測得的熱穩定性的曲線圖；
圖5是根據本發明構思的一示例性實施方式的半導體存儲器件的縱向剖視圖；
圖6是根據本發明構思的一示例性實施方式的半導體存儲器件的縱向剖視圖；
圖7是根據本發明構思的一示例性實施方式的半導體存儲器件的縱向剖視圖；
圖8A至8I是用于描述根據本發明構思的一示例性實施方式的制造半導體存儲器件的工藝的縱向剖視圖；
圖9是根據本發明構思的一示例性實施方式的半導體存儲器制造裝置的縱向剖視圖；
圖10是由根據本發明構思的示例性實施方式的半導體存儲器制造裝置沉積的半導體晶片的俯視圖。
圖11A是圖9的遮蔽板的俯視圖，圖11B是圖11A的區域A的放大圖，圖11C是沿圖11B的線B-B截取的縱向剖視圖；
圖12是示出在圖10的半導體晶片安裝于晶片支托部上之后遮蔽板的頂視圖；
圖13A是根據本發明構思的一示例性實施方式的遮蔽板的俯視圖，圖13B是圖13A的區域C的放大圖；以及
圖14是示出圖9的半導體存儲器制造裝置的遮蔽板的操作的局部縱向剖視圖。
具體實施方式
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