[發明專利]彩色濾光片及背照式圖像傳感器在審
| 申請號: | 201810348514.4 | 申請日: | 2018-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN108538873A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 王亮;內藤達也;黃曉櫓 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濾光片層 背照式圖像傳感器 彩色濾光片 濾光片 半導體制造技術 預設波長光 光學串擾 間隔設置 響應性能 入射光 透射率 串擾 疊置 光譜 穿過 | ||
本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種彩色濾光片及背照式圖像傳感器。所述彩色濾光片,包括相互疊置的第一濾光片層和第二濾光片層,入射光依次穿過所述第一濾光片層、所述第二濾光片層;所述第一濾光片層包括間隔設置的多個第一子濾光片,多個第一子濾光片包括至少兩種顏色的濾光片;所述第二濾光片層用于減少預設波長光的透射率,以避免光學串擾。本發明提供的彩色濾光片及背照式圖像傳感器,避免了背照式圖像傳感器中光譜串擾的問題,提高了背照式圖像傳感器的響應性能。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種彩色濾光片及背照式圖像傳感器。
背景技術
所謂圖像傳感器,是指將光信號轉換為電信號的裝置。按照其依據的原理不同,可以區分為CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)圖像傳感器以及CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導體元件)圖像傳感器。由于CMOS圖像傳感器是采用傳統的CMOS電路工藝制作,因此可將圖像傳感器以及其所需要的外圍電路加以整合,從而使得CMOS圖像傳感器具有更廣的應用前景。
按照接收光線的位置的不同,CMOS圖像傳感器可以分為前照式圖像傳感器和背照式圖像傳感器。其中,與前照式圖像傳感器相比,背照式圖像傳感器最大的優化之處就是將元件內部的結構改變了,即將感光層的元件入射光路調轉方向,讓光線能從背面直射進去,避免了在前照式圖像傳感器中,光線會受到微透鏡和光電二極管之間的結構和厚度的影響,提高了光線接收的效能。
彩色濾光片是背照式圖像傳感器的重要組成部分,其作用是允許特定波長的光通過,而將其他波長的光吸收或者反射。現有技術中常見的彩色濾光片是由紅色濾光片、綠色濾光片和藍色濾光片組成的。附圖1是不同顏色光的量子效應曲線。由圖1可以看出,由于藍光B(Blue)與綠光G(Green)存在波長范圍為475μm~500μm的交疊區域、即青色光區域11,且綠光與紅光R(Red)存在波長范圍為575μm~600μm的交疊區域、即橙色光區域12。這就導致了進入光電二極管的可見光中,出現藍光與綠光的串擾、紅光與綠光的串擾,即所謂的光譜串擾。這對背照式圖像傳感器的性能會產生較大的影響,不利于背照式圖像傳感器靈敏度的提高。
因此,如何避免背照式圖像傳感器中的光譜串擾,提高背照式圖像傳感器的響應性能,是目前亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明提供一種彩色濾光片及背照式圖像傳感器,用以解決現有的背照式圖像傳感器中易出現光譜串擾的問題,提高背照式圖像傳感器的響應性能。
為了解決上述問題,本發明提供了一種彩色濾光片,包括相互疊置的第一濾光片層和第二濾光片層,入射光依次穿過所述第一濾光片層、所述第二濾光片層;所述第一濾光片層包括間隔設置的多個第一子濾光片,多個第一子濾光片包括至少兩種顏色的濾光片;所述第二濾光片層用于減少預設波長光的透射率,以避免光學串擾。
優選的,所述第一子濾光片包括藍色濾光片、綠色濾光片和紅色濾光片。
優選的,所述第二濾光片層用于減少波長范圍為475μm~500μm光的透射率。
優選的,所述第二濾光片層用于減少波長范圍為575μm~600μm光的透射率。
優選的,所述第二濾光片層用于同時減少波長范圍為475μm~500μm和575μm~600μm光的透射率。
優選的,所述第二濾光片層包括多個第二子濾光片,且第二子濾光片與第一子濾光片一一對應設置。
優選的,所述第一濾光片層包括第一金屬隔離柵,所述第一金屬隔離柵用于隔離相鄰的第一子濾光片;所述第二濾光片層包括第二金屬隔離柵,所述第二金屬隔離柵用于隔離相鄰的第二子濾光片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于德淮半導體有限公司,未經德淮半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810348514.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:圖像傳感器及其形成方法
- 下一篇:圖像傳感器及其形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





