[發明專利]位線/存儲節點接觸栓塞和多晶硅接觸薄膜的制造方法

在審

• 申請號: 201810347664.3
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN108538780A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 王宏付
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/20
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 張臻賢;武晨燕

1.一種位線接觸栓塞的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底具有在絕緣層中的位線接觸孔；

將具有所述位線接觸孔的所述襯底置入一沉積爐管機臺中，并通過化學氣相刻蝕方法去除形成于所述位線接觸孔底部的自然氧化層，其中，所述自然氧化層形成于所述襯底在進入所述沉積爐管機臺前的等待過程中；

在所述沉積爐管機臺內沉積位線接觸薄膜于所述襯底上方，使所述位線接觸薄膜填充于所述位線接觸孔并覆蓋所述絕緣層；以及

刻蝕所述位線接觸薄膜，直到露出所述絕緣層，以形成位線接觸栓塞。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述化學氣相刻蝕方法包括：

控制所述沉積爐管機臺內的壓強在0.1托至100托的范圍內，以及所述沉積爐管機臺內的溫度在100攝氏度至625攝氏度的范圍內；

向所述沉積爐管機臺通入刻蝕氣體，所述刻蝕氣體選自于由氟化氫、三氟化氯和三氟化氮所構成的群組的其中之一；

將所述刻蝕氣體保持在所述沉積爐管機臺中預定時間，以使所述刻蝕氣體與所述自然氧化層進行反應；以及

對所述沉積爐管機臺循環抽真空和注入氮氣，使殘余的刻蝕氣體以及所述刻蝕氣體與所述自然氧化層的反應副產物氣體排出所述沉積爐管機臺。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述預定時間根據所述自然氧化層的厚度進行設定，以使所述自然氧化層被完全反應。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供一襯底的步驟包括：

制備所述襯底；

形成器件隔離結構和埋入式柵極于所述襯底中；

形成絕緣層于所述襯底的上方；

刻蝕所述絕緣層，直到露出所述襯底，以在所述絕緣層中形成所述位線接觸孔；

清洗具有所述位線接觸孔的所述襯底。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，清洗具有所述位線接觸孔的所述襯底的方式包括濕法清洗。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述位線接觸薄膜的材料選自于多晶硅，所述位線接觸薄膜的沉積是通過低壓化學氣相沉積方式、原子層沉積方式、原子層種子沉積結合低壓化學氣相沉積的復合方式以及等離子體增強化學氣相沉積方式中的一種來進行的。

7.根據權利要求1至6任一項所述的制造方法，其特征在于，所述位線接觸薄膜的材料選自于原位P摻雜多晶硅，所述位線接觸薄膜的沉積步驟包括：

控制所述沉積爐管機臺內的壓強在0.05托至4托的范圍內，以及所述沉積爐管機臺內的溫度在350攝氏度至625攝氏度的范圍內；以及

以飽和吸附原子層種子的沉積方式沉積所述原位P摻雜多晶硅，其中，控制摻雜P的濃度為每立方厘米10¹⁹個至每立方厘米5×10²¹個。

8.一種存儲節點接觸栓塞的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底具有覆蓋位線的絕緣結構以及在所述絕緣結構中的存儲節點接觸槽；

將具有所述存儲節點接觸槽的所述襯底置入一沉積爐管機臺中，并通過化學氣相刻蝕方法去除自然氧化層，其中，所述自然氧化層形成于所述存儲節點接觸槽底部的襯底上并形成于所述襯底在進入所述沉積爐管機臺前的等待過程中；

在所述沉積爐管機臺內沉積存儲節點接觸薄膜于所述襯底上方，使所述存儲節點接觸薄膜填充于所述存儲節點接觸槽中并覆蓋所述絕緣結構；以及

圖案化刻蝕所述存儲節點接觸薄膜以形成存儲節點接觸栓塞。