[發明專利]一種光敏IC芯片表面覆蓋紅外過濾層結構在審
| 申請號: | 201810347200.2 | 申請日: | 2018-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN108511533A | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發明(設計)人: | 王利循;丘志明;王小循 | 申請(專利權)人: | 深圳市循州電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384 | 代理人: | 梁炎芳;謝亮 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光敏 紅外光 過濾 紅外過濾層 可見光 表面覆蓋 窗口表面 光電轉換 鍍膜 受光 紅外吸收劑 紅外光線 生產效率 一致性好 良品率 波長 保證 生產 | ||
本發明公開了一種光敏IC芯片表面覆蓋紅外過濾層結構,用于過濾780nm以上波長的紅外光,包括:光敏IC、以及用于過濾紅外光透過可見光的涂層,所述涂層鍍膜于光敏IC的受光窗口表面,所述涂層為用于過濾紅外光的納米紅外吸收劑,所述涂層的厚度為5um?50um。本發明通過在光敏IC的受光窗口表面鍍膜過濾紅外光線的涂層,涂層可過濾紅外光而透過可見光,使光敏IC實現光電轉換,光電轉換的電流一致性好,提升產品的生產效率,保證產品在使用過程的可靠性,將產品的良品率提高,結構簡單,容易生產。
技術領域
本發明涉及光敏IC領域,尤其涉及的是一種光敏IC芯片表面覆蓋紅外過濾層結構。
背景技術
現有技術中,光敏IC需要將紅外線光過濾掉,而使可見光穿過,讓光敏IC得以實現光電轉換。傳統的做法是使用含有砷化鎘物質的光敏電阻另加濾光片進行結合使用,此種方式的缺陷是容易受潮,從而改變電阻值令到產品不穩定,加工以及安裝都不便利,使用過程中會出現濾光片掉落的情況。另一種傳統的做法是使用光敏三極管外封環氧樹脂中添加納米碳紅外過濾劑,此做法對產品輸出的光流值一致性產生影響,導致電流參數上下限過大。另外光敏三極管有嚴重的溫漂特性,當使用的環境溫度上升之后光敏三極管會出現漏電導致失效。
因此,現有技術存在缺陷,需要改進。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:提供一種結構簡單,容易安裝,紅外光過濾效果好的光敏IC芯片表面覆蓋紅外過濾層結構。
本發明的技術方案如下:一種光敏IC芯片表面覆蓋紅外過濾層結構,用于過濾780nm以上波長的紅外光,包括:光敏IC、以及用于過濾紅外光透過可見光的涂層,所述涂層鍍膜于光敏IC的受光窗口表面,所述涂層為用于過濾紅外光的納米紅外吸收劑,所述涂層的厚度為5um-50um。
采用上述技術方案,所述的光敏IC芯片表面覆蓋紅外過濾層結構中,所述涂層的厚度為18um-25um。
采用上述各個技術方案,本發明通過在光敏IC的受光窗口表面鍍膜過濾紅外光線的涂層,涂層可過濾紅外光而透過可見光,使光敏IC實現光電轉換,光電轉換的電流一致性好,提升產品的生產效率,保證產品在使用過程的可靠性,將產品的良品率提高,結構簡單,容易生產。同時避免了產品因嚴重的溫漂特性而失效的嚴重問題。
附圖說明
圖1為本發明的平面示意圖;
圖2為本發明的截面示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例,對本發明進行詳細說明。
本實施例提供了一種光敏IC芯片表面覆蓋紅外過濾層結構,用于過濾780nm以上波長的紅外光,包括:光敏IC1、以及用于過濾紅外光透過可見光的涂層3,所述涂層3鍍膜于光敏IC1的受光窗口表面,所述涂層3為用于過濾紅外光的納米紅外吸收劑,所述涂層3的厚度為5um-50um。
如圖1和圖2所示,本實施例中,光敏IC1生產出來后,采用鍍膜工藝在光敏IC1的受光區鍍一層涂層3,其中,光敏IC1的焊線點2不需要鍍膜。涂層3可以過濾掉780nm以上波長的紅外光,而可見光穿過涂層3,與光敏IC1的受光元件發生光電反應,以使光電電流保持一致性。本實施例中的鍍膜涂層3可以有效過濾98%以上的紅外光,使可見光的透過率在85%以上。由于是在光敏IC1的表面采用鍍膜工藝,涂層3鍍于光敏IC1表面后不會脫落,相較于傳統工藝,可有效提成產品的可靠性以及良品率。本實施例中的涂層3為納米紅外吸收劑,厚度為5um-50um。在涂層3越厚的情況下可以使紅外光的過濾效果越好,但隨著厚度的增加,可見光的透光率也隨之降低,無法使光敏IC1產生正常的光電轉換。故,需要控制涂層3的厚度,使涂層3的紅外光過濾與可見光的透過綜合性能最優。本實施例中的涂層3厚度在5um-50um時,可使涂層3的紅外光過濾和可見光透過綜合效果較好。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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