[發明專利]一種電鍍溶液及方法

有效

• 申請號: 201810346664.1
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN108441898B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 彭博宇
• 申請（專利權）人: 深圳海恩特科技有限公司
• 主分類號: C25D3/02
• 分類號: C25D3/02
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛

1.一種酸性銅電鍍溶液，所述酸性銅電鍍溶液包括金屬離子、電解質溶液、鹵素離子、光亮劑及至少一種抑制劑，其特征在于，所述抑制劑的分子結構包括分支節點及連接單元，所述分支節點連接所述連接單元；抑制劑分子結構的主鏈中至少有一個分支節點連接至少三個連接單元，且每個連接單元連接兩個分支節點；所述連接單元包括由環氧乙烷聚合生成的聚環氧乙烷，或由環氧丙烷聚合生成的聚環氧丙烷，或由環氧乙烷和環氧丙烷共同聚合生成的共聚物，所述共聚物包括無規共聚物、交替共聚物或嵌段共聚物；

所述分支節點包括可形成分支結構的分支基團，所述分支基團的分支數目大于或等于1且小于或等于10；

所述抑制劑的相對分子質量為100至30000，所述電鍍溶液中抑制劑的濃度為0.1mg/L至10g/L；所述電鍍溶液還包括光亮劑及整平劑，所述光亮劑的濃度為0.01mg/L至100mg/L，所述整平劑的濃度為0.01mg/L至100mg/L。

2.根據權利要求1所述的酸性銅電鍍溶液，其特征在于，所述聚環氧乙烷結構式包括所述聚環氧丙烷結構式包括所述環氧丙烷與環氧乙烷的共聚物結構式包括其中，所述m、n及o均為1至1000的自然數，所述m及n不同時為0；所述A及B為與所述分支節點連接的基團、或為端基。

3.一種電鍍方法，其特征在于，所述方法包括：將待鍍基底浸沒在權利要求1-2任一項所述的酸性銅電鍍溶液中，并將待鍍基底作為陰極；在陽極及所述陰極之間施加電壓，以產生從所述陽極至所述陰極之間的電流，以便將電鍍溶液中的金屬離子電鍍至所述待鍍基底上。

4.根據權利要求3所述的電鍍方法，其特征在于，所述電鍍溶液的溫度為5℃至70℃，所述電流的密度在0.01至100A/dm²。

5.根據權利要求4所述的電鍍方法，其特征在于，所述電鍍溶液的金屬離子濃度為1g/L至300g/L，電解質濃度為1g/L至500g/L，鹵素離子濃度為0.1mg/L至500mg/L。

6.根據權利要求5所述的電鍍方法，其特征在于，不斷攪拌電鍍溶液，以促進電鍍過程中的物質交換，可手動攪拌或充入空氣攪拌或通過泵攪拌。