[發(fā)明專利]一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810345900.8
• 申請(qǐng)日: 2018-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108539436B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志平;吳優(yōu);武建華;王正鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類號(hào): H01Q21/00
• 分類號(hào): H01Q21/00;H01Q1/38;H01Q3/30
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251
• 代理人: 楊學(xué)明;盧紀(jì)

1.一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：裝置主要由饋源(1)與反射陣天線(4)組成，饋源(1)和靜區(qū)(6)位于反射陣物理軸線的相同一側(cè)，靜區(qū)平面波束離軸傾斜出射于反射陣天線(4)口面，饋源(1)近軸小角度偏饋照射反射陣天線(4)口面，使相位調(diào)制殘余的陣面鏡像波束在異側(cè)反方向遠(yuǎn)離靜區(qū)(6)，以提升靜區(qū)平面波質(zhì)量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：離軸傾斜出射的平面波束的離軸角度θ為30～40度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：所述饋源準(zhǔn)近軸小角度局部偏饋照射，饋源位置在反射陣平面的投影偏移方向由反射陣中心指向靜區(qū)設(shè)置的方向，偏移距離0.1～0.2倍焦距。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：所述反射陣天線(4)方口徑布局的繞自軸大角度旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)角度范圍為30～60度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：靜區(qū)場(chǎng)的極化取決于饋源狀態(tài)與反射陣單元特性。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：反射陣天線(4)將球面波前校正成離軸出射的平面波波前，在照射幅度固定的約束下將出射口徑相位加權(quán)，并由交替投影算法結(jié)合平面波譜近場(chǎng)快速傳輸理論優(yōu)化得出的反射陣相位激勵(lì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：將所述饋源到反射陣天線(4)平面投影距離設(shè)為焦距，焦距與反射陣天線水平對(duì)角線的比值定義為焦徑比，焦徑比為1.5～2，長(zhǎng)焦設(shè)計(jì)利于降低陣面單元的傾斜照射和抑制鏡像波束擴(kuò)散。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：所述饋源與所述反射陣天線(4)口徑上的水平對(duì)角線正面相對(duì)，以形成準(zhǔn)近軸照射。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：所述饋源與所述反射陣天線(4)口徑上的垂直對(duì)角線的局部小角度偏置相對(duì)，以形成局部偏饋照射。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大角度離軸小角度偏饋的寬帶反射陣緊縮場(chǎng)裝置，其特征在于：所述的反射陣緊縮場(chǎng)能寬帶工作，工作帶寬超過(guò)5％時(shí)通過(guò)調(diào)整饋源的位置來(lái)補(bǔ)償由頻率變化引起的入射相位的失配。