[發明專利]臨時鍵合/解鍵合的材料及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201810345076.6 | 申請日： | 2018-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN108511384B | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 崔成強;張昱;陳濤;陳新 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張春水;唐京橋 |
| 地址： | 510060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 臨時 解鍵合 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.臨時鍵合/解鍵合的材料，其特征在于，包括經粗糙化處理的載片和石墨類材料，所述石墨類材料附著在所述經粗糙化處理的載片的粗糙面上；所述粗糙化處理具體包括通過化學方法或等離子刻蝕方法在載片的表面形成凸起結構；所述石墨類材料附著在所述經粗糙化處理的載片的表面上具體包括通過化學氣相沉積法或磁控濺射法將所述石墨類材料附著在所述經粗糙化處理的載片的粗糙面；所述石墨類材料包括石墨或石墨烯；所述凸起結構的高度為10-20微米。
2.根據權利要求1所述的臨時鍵合/解鍵合的材料，其特征在于，所述載片為玻璃、銅箔、藍寶石或單晶硅中的一種。
3.臨時鍵合/解鍵合的材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：將載片的表面進行粗糙化處理，得到經粗糙化處理的載片；所述粗糙化處理具體包括通過化學方法或等離子刻蝕方法在載片的表面形成凸起結構；所述凸起結構的高度為10-20微米；
步驟2：將石墨類材料附著在所述經粗糙化處理的載片的粗糙面上，得到臨時鍵合/解鍵合的材料；所述石墨類材料附著在所述經粗糙化處理的載片的表面上具體包括通過化學氣相沉積法或磁控濺射法將所述石墨類材料附著在所述經粗糙化處理的載片的粗糙面；所述石墨類材料包括石墨或石墨烯。
4.權利要求1或2所述的臨時鍵合/解鍵合的材料或權利要求3所述的臨時鍵合/解鍵合的材料的制備方法制得的臨時鍵合/解鍵合的材料在晶圓加工中的應用。
5.根據權利要求4所述的應用，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：將晶圓的表面電鍍金屬層；
步驟二：將晶圓的金屬層一側與如權利要求1或2所述臨時鍵合/解鍵合的材料或權利要求3所述的臨時鍵合/解鍵合的材料的制備方法制得的臨時鍵合/解鍵合的材料的石墨類材料一側進行臨時鍵合，得到臨時晶圓鍵合對；所述石墨類材料包括石墨或石墨烯；
步驟三：對所述臨時晶圓鍵合對的晶圓的非金屬層進行加工；
步驟四：通過非平行于所述臨時晶圓鍵合對的臨時鍵合/解鍵合的材料的作用力對所述臨時晶圓鍵合對的臨時鍵合/解鍵合的材料和晶圓進行解鍵合。
6.根據權利要求5所述的應用，其特征在于，所述步驟三的加工具體包括對晶圓進行研磨減薄加工、鍍通孔加工或球柵陣列封裝加工中的一種或多種。
7.根據權利要求5所述的應用，其特征在于，所述非平行于所述臨時晶圓鍵合對的臨時鍵合/解鍵合的材料的作用力為垂直于所述臨時晶圓鍵合對的臨時鍵合/解鍵合的材料的作用力。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
