[發明專利]一種高帶寬多模光纖

有效

• 申請號: 201810344494.3
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108594361B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 王潤涵;肖武豐;黃榮;王海鷹;汪洪海;王瑞春
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種高帶寬多模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于芯層折射率剖面呈拋物線形，分布指數α為2.0～2.3，芯層的半徑R1為23～27μm，芯層中心最大相對折射率差Δ1_max為0.9％～1.2％，所述的芯層為鍺磷氟Ge、P、F三元共摻的二氧化硅玻璃層，P和Ge作為正摻雜劑，芯層中心的P的貢獻量ΔP0為0.01％～0.30％，芯層與內包層交界的P的貢獻量ΔP1為0.01％～0.30％，芯層中心和邊緣的P的貢獻量之差ΔP10小于或等于5％，芯層中心P含量與芯層邊緣保持一致，芯層F作為負摻雜劑，芯層中心到芯層邊緣方向，F摻雜量呈遞增狀，芯層中心的F的貢獻量ΔF0為0.0％～-0.1％，芯層邊緣F的貢獻量ΔF1為-0.40％～-0.20％；所述的包層由內到外依次為內包層和外包層，所述的內包層為磷氟P、F共摻的二氧化硅玻璃層，其中F摻雜的貢獻量ΔF2為-0.18％～-0.08％，內包層外邊緣的P貢獻量ΔP2為0％～0.40％，芯層和內包層交界處與內包層外邊緣的P的貢獻量之差為ΔP21＝ΔP2-ΔP1，ΔP21為-0.3％～-0.01％或0.01％～0.20％；所述內包層的P濃度變化從內至外分為平臺區和漸變區，平臺區的濃度基本保持不變，而后逐漸增加或逐漸降低，平臺區的寬度T1為0.1-2μm，漸變區的寬度T2為2-4μm；所述的內包層寬度(R2-R1)為1.0～5.0μm，內包層的相對折射率差Δ2＝ΔP2+ΔF2，平臺區和漸變區的ΔF2保證Δ2介于-0.09％～0.09％。

2.按權利要求1所述的高帶寬多模光纖，其特征在于所述的外包層為純二氧化硅玻璃層。

3.按權利要求1或2所述的高帶寬多模光纖，其特征在于所述光纖的DMD Inner Mask(5-18μm)和DMD Outer Mask(0-23μm)均小于等于0.33ps/m；DMD Interval Mask小于等于0.25ps/m。

4.按權利要求1或2所述的高帶寬多模光纖，其特征在于所述光纖的DMD Inner Mask(5-18μm)和DMD Outer Mask(0-23μm)均小于等于0.14ps/m，DMD Interval Mask小于等于0.11ps/m。

5.按權利要求1或2所述的高帶寬多模光纖，其特征在于所述光纖的數值孔徑為0.185～0.215。

6.按權利要求1或2所述的高帶寬多模光纖，其特征在于所述光纖在850nm波長具有3500MHz-km或3500MHz-km以上帶寬，在950nm波長具有2000MHz-km或2000MHz-km以上帶寬，在1300nm波長具有500MHz-km或500MHz-km以上帶寬。

7.按權利要求1或2所述的高帶寬多模光纖，其特征在于光纖在850nm波長具有5000MHz-km或5000MHz-km以上帶寬，在950nm波長具有3300MHz-km或3300MHz-km以上帶寬，在1300nm波長具有600MHz-km或600MHz-km以上帶寬。

8.按權利要求1或2所述的高帶寬多模光纖，其特征在于所述光纖在850nm波長具有4700MHz-km或4700MHz-km以上的有效模式帶寬(EMB)；在875nm波長具有3400MHz-km或3400MHz-km以上的有效模式帶寬(EMB)；在900nm波長具有2900MHz-km或2900MHz-km以上的有效模式帶寬(EMB)；在925nm波長具有2800MHz-km或2800MHz-km以上的有效模式帶寬(EMB)；在950nm波長具有2500MHz-km或2500MHz-km以上的有效模式帶寬(EMB)。