[發明專利]制造LED矩陣顯示裝置的方法

有效

• 申請號: 201810344227.6
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108735663B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 伊凡-克里斯托夫·羅賓;休伯特·波諾;莫德·維內特
• 申請（專利權）人: 原子能和替代能源委員會
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 徐川;姚開麗

1.一種制作顯示裝置(1000)的方法，所述方法至少包括對以下連續步驟的實施：

-制作LED(100)的矩陣，每個LED(100)包括能夠從所述LED(100)的矩陣的背面(141)接入的電極(138，140)以及來自所述LED(100)的矩陣的正面(143)的發光表面，然后；

-將包括至少一個半導體層(206)、柵極介電層(208)和柵極導電材料層(210)的層堆疊固定到所述LED(100)的矩陣的背面(141)上，并且然后；

-從所述層堆疊開始，制作電耦接至所述LED(100)的電極(138，140)的電子控制電路(242)，包括制作包括有源區域(216)和柵極(224)的FET晶體管，所述有源區域(216)在所述半導體層(206)中形成，并且所述柵極(224)在所述柵極介電層(208)中和所述柵極導電材料層(210)中形成。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，制作所述LED(100)的矩陣的步驟包括：針對所述LED(100)中的每個LED，

-制作臺面結構，該臺面結構至少包括具有不同摻雜并形成p-n結的第一半導體部分和第二半導體部分(124，128，132)；

-制作位于所述臺面結構上并且電耦接至所述第一半導體部分(124)的第一電極(138)；以及

-制作位于所述臺面結構的側并通過所述第二半導體部分(132)的側面的至少一部分電耦接至所述第二半導體部分(128，132)的第二電極(140)。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述半導體層(206)包括鍺含量在約10％至50％之間的SiGe。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，將所述層堆疊固定到所述LED(100)的矩陣的背面(141)上包括在形成所述層堆疊的一部分的第一氧化物層(204)和位于所述LED(100)的矩陣的背面(141)上的第二氧化物層(142)之間實施直接接合。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括在將所述層堆疊固定到所述LED(100)的矩陣的背面(141)上之前，通過實施以下步驟來制作所述層堆疊：

-在與絕緣體上半導體型襯底的表面層對應的半導體層(206)上制作柵極介電層(208)；

-在所述柵極介電層(208)上制作柵極導電材料層(210)，

-在所述柵極導電材料層(210)上制作硬掩模層(212)；

-在硬掩模層(212)上制作機械支承層(214)；

-去除所述絕緣體上半導體型襯底的厚半導體層(202)；

并且其中，所述絕緣體上半導體型襯底的掩埋介電層(204)形成所述第一氧化物層。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述層堆疊的半導體層(206)包括晶體半導體，并且其中，至少通過以下方式在所述半導體層(206)中形成所述FET晶體管的有源區域(216)：在所述FET晶體管的有源區域(216)的、將形成FET晶體管的源極區和漏極區(236)的部分(234)中進行離子注入，使得所述部分(234)中的半導體部分地非晶化，隨后在所述FET晶體管的有源區域(216)的固相中進行再結晶退火。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述再結晶退火在約450℃至600℃之間的溫度下實施。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述再結晶退火通過將所述FET晶體管的源極和漏極(216)暴露于激光源來實施。