[發明專利]一種高壓晶片的穿通擴散工藝及其中刻蝕氣體的混合裝置

有效

• 申請號: 201810344184.1
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108511335B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 游佩武;王毅;裘立強
• 申請（專利權）人: 揚州杰利半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L21/268;C30B31/06
• 代理公司: 揚州市蘇為知識產權代理事務所(普通合伙) 32283
• 代理人: 周全

1.一種高壓晶片的穿通擴散工藝中刻蝕氣體的混合裝置，其特征在于，按以下步驟進行加工：

1）、晶片氧化：在晶片兩側生長出SiO₂阻擋層；

2）、打膠：在兩所述SiO₂阻擋層背向晶片的端面上打上光刻膠，所述光刻膠中具有鏤空的預設圖案；

3）、開擴散窗口：沿光刻膠的鏤空部分在SiO₂阻擋層上刻蝕出與預設圖案適配的擴散窗口；

4）、穿通預處理：在晶片的至少一側端面上刻蝕出位于擴散窗口中的溝槽，或是在晶片的至少一側端面上通過激光打出位于擴散窗口中的若干均勻分布的深槽；

5）、穿通擴散：分別自晶片兩側的擴散窗口向晶片中擴散P，并使得兩側擴散的P相連通；完畢；

所述混合裝置包括罐體、抽氣蝸輪和若干混合板，所述罐體的一側設有若干進氣孔、且另一側設有一出氣孔，若干所述混合板均固定連接在罐體中、且相鄰混合板之間留有空隙，所述混合板中均勻開設有若干混合孔，所述混合孔呈自進氣孔所在的一側起內徑逐漸變小的錐孔狀、且相鄰所述混合板上的混合孔相交錯，所述抽氣蝸輪固定連接在罐體中、且位于若干混合板和出氣孔之間。

2.根據權利要求1所述的一種高壓晶片的穿通擴散工藝中刻蝕氣體的混合裝置，其特征在于，步驟1）中SiO₂阻擋層的厚度為10000-30000埃。

3.根據權利要求1所述的一種高壓晶片的穿通擴散工藝中刻蝕氣體的混合裝置，其特征在于，步驟4）穿通預處理：在晶片的一側端面上通過激光打出位于擴散窗口中的若干均勻分布的深槽，所述深槽的深度為200-250μm、且直徑為20-60μm，相鄰深槽的間距為20-30μm。

4.根據權利要求1所述的一種高壓晶片的穿通擴散工藝中刻蝕氣體的混合裝置，其特征在于，步驟4）穿通預處理：在晶片的兩側端面上刻蝕出位于擴散窗口中的溝槽，單側刻蝕的深度為50-80μm。

5.根據權利要求1所述的刻蝕氣體的混合裝置，其特征在于，自進氣孔所在的一側起若干混合板中混合孔的最大孔徑逐漸由大變小。