[發明專利]半導體發光器件在審
| 申請號： | 201810343598.2 | 申請日： | 2013-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN108550672A | 公開（公告）日： | 2018-09-18 |
| 發明（設計）人： | 全水根;樸恩鉉;金勈德 | 申請（專利權）人： | 世邁克琉明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體層 不導電 反射膜 半導體發光器件 空穴 第二電極 第一電極 分支電極 雙層結構 襯底 源層 分布式布拉格反射器 電介質膜 順序生長 折射率比 生長 電連接 反射光 折射率 覆蓋 | ||
1.一種半導體發光器件，該半導體發光器件包括：
在生長襯底上順序生長的多個半導體層，其中所述多個半導體層包括具有第一導電性的第一半導體層、具有不同于所述第一導電性的第二導電性的第二半導體層、以及介于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的經由電子-空穴復合產生光的有源層；
第一電極，所述第一電極向所述第一半導體層提供電子和空穴中的一個；
第二電極，所述第二電極向所述第二半導體層提供電子和空穴中的另一個；
不導電反射膜，所述不導電反射膜形成在所述第二半導體層上，用于從所述有源層向在所述生長襯底側的所述第一半導體層反射光，且所述不導電反射膜具有雙層結構，該雙層結構包括分布式布拉格反射器和折射率比所述第二半導體層的折射率低的電介質膜；以及
分支電極，所述分支電極在所述多個半導體層與所述不導電反射膜之間被所述不導電反射膜覆蓋，且與所述第一電極和所述第二電極中的一個電連接。
2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述第一電極形成在所述不導電反射膜上。
3.根據權利要求2所述的半導體發光器件，其中，所述分支電極與所述第二電極連接，所述分支電極在所述第一電極的下面延伸。
4.根據權利要求2所述的半導體發光器件，其中，所述分支電極與所述第一電極連接，所述分支電極在所述第二電極的下面延伸。
5.根據權利要求2所述的半導體發光器件，其中，該半導體發光器件具有通過去除所述第二半導體層和所述有源層的一部分而露出了所述第一半導體層的接觸區，
所述分支電極形成在所述接觸區內的所述第一半導體層上。
6.根據權利要求5所述的半導體發光器件，其中，所述接觸區被所述有源層和所述第二半導體層封閉和阻擋。
7.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述不導電反射膜具有通過化學氣相沉積法形成的電介質膜和通過物理氣相沉積形成的分布式布拉格反射器。
8.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述不導電反射膜的邊緣處的傾斜面為角反射器。
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