[發明專利]一種大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶體的生長方法

在審

• 申請號: 201810343203.9
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108531974A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 姚淑華;林大鈞;呂洋洋;陳思思;陳延彬;陳延峰
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/22
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 李媛媛

1.一種大尺寸Rb_0.5RhO₂或Cs_0.5RhO₂晶體的生長方法，其特征在于，所述Rb_0.5RhO₂晶體的生長方法包括如下步驟：

(1)原料配制：稱取一定量的Rh₂O₃和助熔劑Rh₂O₃，用研缽研磨混勻后至于干凈的氧化鋁坩堝中，所述Rh₂O₃和助熔劑Rh₂O₃的質量比范圍為1:20～1:60；

(2)晶體生長：將配制好的生長原料置于生長裝置中采用助熔劑法生長，首先將溫度升高到100℃，并維持8小時后，繼續升溫至1000℃，然后按照5℃/h的速率降溫至800℃，最后再自然冷卻到室溫，采用高純水溶解所述助熔劑Rh₂O₃，烘干之后即可獲得高質量大尺寸的Rb_0.5RhO₂單晶體。

2.根據權利要求1所述的一種大尺寸Rb_0.5RhO₂或Cs_0.5RhO₂晶體的生長方法，其特征在于，所述生長裝置為由氧化鋁棉絕熱材料構成的開口容器，側壁的氧化鋁棉絕熱材料內嵌有銅加熱絲；所述容器的內壁設置有陶瓷板，容器的底部放置有氧化鋁坩堝，氧化鋁坩堝的上方設置氧化鋁爐堵，熱電偶與氧化鋁爐堵接觸并放置在氧化鋁爐堵的側面。

3.根據權利要求1所述的一種大尺寸Rb_0.5RhO₂或Cs_0.5RhO₂晶體的生長方法，其特征在于，所述Rb_0.5RhO₂單晶體的尺寸大于4mm。

4.一種大尺寸Rb_0.5RhO₂或Cs_0.5RhO₂晶體的生長方法，其特征在于，所述Cs_0.5RhO₂晶體的生長方法包括如下步驟：

(1)原料配制：稱取一定量的Rh₂O₃和助熔劑Cs₂CO₃，用研缽研磨混勻后至于干凈的氧化鋁坩堝中，所述Rh₂O₃和助熔劑Cs₂CO₃的質量比范圍為1:10～1:40；

(2)晶體生長：將配制好的生長原料置于生長裝置中采用助熔劑法生長，首先將溫度升高到100℃，并維持8小時后，繼續升溫至900℃，然后按照5℃/h的速率降溫至700℃，最后再自然冷卻到室溫，采用高純水溶解所述助熔劑Cs₂CO₃，烘干之后即可獲得高質量大尺寸的Cs_0.5RhO₂單晶體。

5.根據權利要求3所述的一種大尺寸Rb_0.5RhO₂或Cs_0.5RhO₂晶體的生長方法，其特征在于，所述生長裝置為由氧化鋁棉絕熱材料構成的開口容器，側壁的氧化鋁棉絕熱材料內嵌有銅加熱絲；所述容器的內壁設置有陶瓷板，容器的底部放置有氧化鋁坩堝，氧化鋁坩堝的上方設置氧化鋁爐堵，熱電偶與氧化鋁爐堵接觸并放置在氧化鋁爐堵的側面。

6.根據權利要求3所述的一種大尺寸Rb_0.5RhO₂或Cs_0.5RhO₂晶體的生長方法，其特征在于，所述Cs_0.5RhO₂單晶體的尺寸大于4mm。