[發(fā)明專利]一種熱量回收循環(huán)系統(tǒng)及其控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810343099.3 | 申請日: | 2018-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN108598213B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 車伏龍;劉秤明;趙志剛;覃武;劉洪明;王剛;王春陽;顏冬博 | 申請(專利權)人: | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B32B38/00 |
| 代理公司: | 北京博訊知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11593 | 代理人: | 柳興坤 |
| 地址: | 519070*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高溫加工 循環(huán)系統(tǒng) 冷卻腔室 熱量回收 預熱腔室 循環(huán)利用 加工生產成本 能量利用率 待加工件 節(jié)能減排 連接通路 綠色環(huán)保 設備加工 生產加工 回收 預熱的 供氣 冷卻 能耗 流動 申請 | ||
1.一種熱量回收循環(huán)系統(tǒng),用于對具有高溫加工設備的生產線上的熱量進行回收循環(huán)利用,其特征在于,所述循環(huán)系統(tǒng)包括用于對待進入所述設備中的待加工件進行預熱的預熱腔室,以及用于對經過所述設備加工后的產品進行冷卻的冷卻腔室,所述預熱腔室與所述冷卻腔室之間設置有供氣流在所述預熱腔室和所述冷卻腔室之間流動的連接通路,所述循環(huán)系統(tǒng)還包括氣流驅動部件,所述氣流驅動部件用于驅動所述連接通路內的氣體流動;
連接通路包括分別與冷卻腔室和預熱腔室連通的第一管路和第二管路,第一管路中的氣流由冷卻腔室流向預熱腔室,第二管路中氣流由預熱腔室流向冷卻腔室,第一管路的兩端連通預熱腔室與冷卻腔室,并設置在預熱腔室和冷卻腔室的下方,氣流驅動部件設置在第一管路中,氣流驅動部件將冷卻腔室中的氣體抽吸至預熱腔室中的下部,第二管路的兩端連通預熱腔室與冷卻腔室,并設置在預熱腔室和冷卻腔室的上方,在氣流驅動部件的作用下,第二管路中的氣流由預熱腔室一側向冷卻腔室一側流動;
所述設備包括進行高溫加工的高溫腔室和用于對所述高溫腔室中的氣體進行加熱的加熱裝置,所述循環(huán)系統(tǒng)還包括氣流輸送通道,所述氣流輸送通道用于將所述高溫腔室中的高溫氣體和/或流經所述加熱裝置的高溫氣體引入所述預熱腔室中,所述氣流輸送通道包括第一管路部,所述循環(huán)系統(tǒng)還包括真空發(fā)生裝置,所述真空發(fā)生裝置通過所述第一管路部將所述高溫腔室中的高溫氣體抽吸出來;
所述氣流輸送通道還包括第三管路部,所述真空發(fā)生裝置和/或所述加熱裝置放置在密閉腔體中,所述第三管路部將所述密閉腔體與所述預熱腔室連通。
2.根據(jù)權利要求1所述的熱量回收循環(huán)系統(tǒng),其特征在于,所述氣流輸送通道還包括第二管路部,所述第二管路部用于將所述真空發(fā)生裝置抽吸出的高溫氣體輸送至所述預熱腔室中。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的熱量回收循環(huán)系統(tǒng),其特征在于,所述冷卻腔室和/或所述預熱腔室中設置有傳送結構,所述傳送結構用于帶動放置于其上的產品或待加工件移動。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的熱量回收循環(huán)系統(tǒng),其特征在于,所述熱量回收循環(huán)系統(tǒng)用于對光伏組件生產線上的熱量進行回收,所述設備包括層壓機。
5.一種熱量回收循環(huán)系統(tǒng)的控制方法,用于對權利要求1至4之一所述的熱量回收循環(huán)系統(tǒng)進行控制,其特征在于,當所述預熱腔室中的待加工件的溫度到達第一預定溫度時和/或當所述待加工件進入所述預熱腔室中預熱第一預定時長后,所述待加工件離開所述預熱腔室進入所述設備中進行高溫加工,和/或,
當所述冷卻腔室中的產品的溫度降至第二預定溫度時和/或當所述產品進入所述冷卻腔室中冷卻第二預定時長后,所述產品離開所述冷卻腔室。
6.根據(jù)權利要求5所述的熱量回收循環(huán)系統(tǒng)的控制方法,其特征在于,所述第一預定溫度的范圍為70至75℃,和/或,
所述第二預定溫度的范圍為90至100℃;和/或,
所述第一預定時長的范圍為3至10分鐘,和/或,
所述第二預定時長的范圍為15至20分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





