[發(fā)明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810343019.4
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108735614B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設計）人: 山下哲生;稗田智宏;宮澤雅臣
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/49
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明涉及半導體裝置以及半導體裝置的制造方法，其目的在于得到能夠長壽命化以及小型化的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。本發(fā)明涉及的半導體裝置具有：基板，其在上表面具有金屬圖案；半導體芯片，其設置于該金屬圖案之上；平板狀的背面電極端子，其通過導線與該金屬圖案連接；平板狀的表面電極端子，其在該背面電極端子的上方與該背面電極端子平行，延伸至該半導體芯片的正上方，與該半導體芯片的上表面直接接合；殼體，其將該基板包圍；以及封裝材料，其對該殼體的內(nèi)部進行封裝。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及半導體裝置及半導體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

在專利文獻1中，作為從外部電極向功率器件芯片通電的方法，采用了導線鍵合。在導線鍵合中，使用導線將功率器件的電極部和外部電極進行連接。

專利文獻1：日本特開2003-224243號公報

通常，就功率器件芯片而言，由于由電流平衡引起的冷熱循環(huán)，導線的接合部受到應力。另外，為了實現(xiàn)接合部的長壽命化，有時導致封裝件的大型化或高成本化。因此，特別是就具有多個功率器件芯片的大容量模塊而言，得到廉價且小型、能夠長壽命化的封裝件成為課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到能夠長壽命化以及小型化的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。

本發(fā)明涉及的半導體裝置具有：基板，其在上表面具有金屬圖案；半導體芯片，其設置于該金屬圖案之上；平板狀的背面電極端子，其通過導線與該金屬圖案連接；平板狀的表面電極端子，其在該背面電極端子的上方與該背面電極端子平行，延伸至該半導體芯片的正上方，與該半導體芯片的上表面直接接合；殼體，其將該基板包圍；以及封裝材料，其對該殼體的內(nèi)部進行封裝。

本發(fā)明涉及的半導體裝置的制造方法具有下述工序：將半導體芯片搭載于在基板的上表面設置的金屬圖案之上的工序；設置平板狀的背面電極端子和將該基板包圍的殼體的工序；導線鍵合工序，通過導線將該背面電極端子和該金屬圖案連接；將與該背面電極端子平行且延伸至該半導體芯片的正上方的平板狀的表面電極端子設置于該背面電極端子的上方，將該半導體芯片的上表面和該表面電極端子直接接合的工序；以及封裝工序，在導線鍵合工序之后，通過封裝材料對該殼體的內(nèi)部進行封裝。

發(fā)明的效果

就本發(fā)明涉及的半導體裝置而言，表面電極端子與半導體芯片的上表面直接接合。因此，與由導線進行的連接相比，能夠提高表面電極端子與半導體芯片的接合部相對于熱循環(huán)應力的耐受性。另外，將通常與表面電極端子側(cè)相比溫度較低的背面電極端子通過導線進行連接，從而與將背面電極端子和半導體芯片直接接合的情況相比，能夠?qū)雽w裝置小型化。因此，能夠?qū)雽w裝置長壽命化以及小型化。

在本發(fā)明涉及的半導體裝置的制造方法中，表面電極端子與半導體芯片的上表面直接接合。因此，與由導線進行的連接相比，能夠提高表面電極端子與半導體芯片的接合部相對于熱循環(huán)應力的耐受性。另外，將通常與表面電極端子側(cè)相比溫度較低的背面電極端子通過導線進行連接，從而與將背面電極端子和半導體芯片直接接合的情況相比，能夠?qū)雽w裝置小型化。因此，能夠?qū)雽w裝置長壽命化以及小型化。

附圖說明

圖1是實施方式1涉及的半導體裝置的剖視圖。

圖2是表示實施方式1涉及的半導體裝置的制造方法的流程圖。

圖3是對比例涉及的半導體裝置的剖視圖。

圖4是實施方式2涉及的半導體裝置的剖視圖。

圖5是表示實施方式2涉及的半導體裝置的制造方法的流程圖。

圖6是表示實施方式2的變形例涉及的半導體裝置的制造方法的流程圖。

圖7是實施方式3涉及的半導體裝置的剖視圖。