[發明專利]一種噴頭和等離子體處理腔室

有效

• 申請號: 201810342567.5
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN110391120B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 姜鑫先;陳鵬
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;劉悅晗

1.一種等離子體處理腔室，其特征在于，包括腔室本體和噴頭，所述噴頭設置在所述腔室本體內，將所述腔室本體的內部分隔成等離子體產生區和等離子體反應區；

所述噴頭具有相對設置的第一表面和第二表面，并包括多組貫穿所述第一表面和第二表面的連通結構，每組所述連通結構獨立連通，所述噴頭由導電材料制成，所述噴頭通過所述腔室本體接地，且所述連通結構開于所述第一表面的通道入口與開于所述第二表面的通道出口之間為非直連通道，用于避免所述等離子體產生區內的等離子體沿垂直于所述第一表面和所述第二表面的直線方向通過所述噴頭進入所述等離子體反應區內。

2.如權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，各組所述連通結構包括第一流道和多個第二流道，所述第一流道的一端形成所述通道入口，且所述第一流道的另一端在所述噴頭的內部與各所述第二流道的一端相連通，所述第一流道位于與其相連通的各所述第二流道之間；所述第二流道的另一端形成所述通道出口。

3.如權利要求2所述的等離子體處理腔室，其特征在于，各組所述連通結構包括一個第一流道和兩個第二流道，所述第一流道為垂直于所述第一表面的直流道，兩個所述第二流道的縱截面為倒U形。

4.如權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，各組所述連通結構包括第三流道和第四流道，所述第三流道的一端形成所述通道入口，另一端與所述第四流道的一端在所述噴頭的內部相連通，所述第四流道的另一端形成所述通道出口；所述通道入口在所述第二表面上的正投影與所述通道出口在所述第二表面上的正投影不重合；其中，所述第三流道和所述第四流道均為垂直于所述第一表面的直流道。

5.如權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，各組所述連通結構包括第五流道和第六流道，所述第五流道的一端形成所述通道入口，另一端與所述第六流道的一端在所述噴頭的內部相連通，所述第六流道的另一端形成所述通道出口，所述第五流道的軸線和所述第六流道的軸線之間形成夾角。

6.如權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，各組所述連通結構包括兩個第七流道和一個第八流道，所述第七流道的一端形成所述通道入口，另一端與所述第八流道的一端在所述噴頭的內部相連通，所述第八流道的另一端形成所述通道出口；所述連通結構的縱截面為Y形。

7.如權利要求1-6任一項所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述噴頭為圓盤狀，其厚度為20mm-50mm，所述通道入口和所述通道出口均為圓形，且其孔徑為0.2mm-10mm。

8.如權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，還包括基座和位于所述基座內的加熱裝置，所述基座容置于所述等離子體反應區內，位于所述噴頭的下方。