[發(fā)明專利]一種用于形成柔性強介電薄膜的襯底

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• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108559113A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設計）人: 陳顯鋒
• 申請（專利權）人: 佛山市卓膜科技有限公司
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L79/08
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本發(fā)明公開了一種用于形成柔性強介電薄膜的襯底，其材質為聚酰亞胺，所述聚酰亞胺的FT?IR譜圖在波數為800?840cm^?1范圍內有兩個吸收峰，和/或在波數為1060?1140cm^?1范圍內有兩個吸收峰。本發(fā)明的襯底在高溫環(huán)境下更穩(wěn)定，不僅可彎曲，還不易折損，適用于形成柔性強介電薄膜，且可形成大面積的柔性強介電薄膜，適合于大規(guī)模工業(yè)化生產。

技術領域

本發(fā)明涉及強介電薄膜技術領域，尤其涉及一種用于形成柔性強介電薄膜的襯底。

背景技術

鋯鈦酸鉛(PZT)是PbZrO3和PbTiO3的混合體材料，有著優(yōu)異的壓電特性和介電特性，并且隨著PZT中Zr/Ti比的變化，其特性也會發(fā)生改變，因此被廣泛應用于傳感器、電容器等電子器件中，并逐漸從獨立的個體材料向可集成化的薄膜材料轉變。

近些年，隨著穿戴設備迅猛發(fā)展，人們認識到柔性化材料的應用優(yōu)勢，很多研究機投入巨大精力從事這方面的研究。

現有技術主要通過改進原材料構成、制作工藝來將PZT薄膜的成膜溫度降低到500℃以下，但是，直接在有機襯底上制備PZT等無機薄膜材料會面臨著有機襯底的高溫分解，收縮變形等問題。

目前，PZT薄膜的柔性化方法主要有以下兩種：(1)采用耐熱的金屬薄片作為襯底；(2)以硬質硅(Si)為襯底，并在硅襯底上設置犧牲層，然后在犧牲層形成PZT薄膜，再通過各種手段使PZT薄膜與硅襯底分離，并將PZT薄膜轉移固定到樹脂材料上，達到柔性化的目的。

但是，金屬薄片雖然具有一定的可彎曲性，但是其硬度高，一旦發(fā)生彎折，不容易再恢復回原來的狀態(tài)，可操作性差，不適合用于穿戴設備。其次，金屬薄片的熱膨脹系數大，從室溫加熱到幾百度高溫過程中容易發(fā)生變形，難以在其上面形成大面積的均勻性薄膜。采用Si襯底制備出PZT薄膜后再剝離的方法，則因為工藝復雜，可制備面積受限，不適合工業(yè)化生產。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題在于，提供一種用于形成柔性強介電薄膜的襯底，可彎曲，不易折損，并且適合于大規(guī)模工業(yè)化生產。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種用于形成柔性強介電薄膜的襯底，其材質為聚酰亞胺，所述聚酰亞胺的FT-IR譜圖在波數為800-840cm^-1范圍內有兩個吸收峰。

本發(fā)明還提供了另一種用于形成柔性強介電薄膜的襯底，其材質為聚酰亞胺，所述聚酰亞胺的FT-IR譜圖在波數為1060-1140cm^-1范圍內有兩個吸收峰。

本發(fā)明還提供了另一種用于形成柔性強介電薄膜的襯底，其材質為聚酰亞胺，所述聚酰亞胺的FT-IR譜圖在波數為800-840cm^-1范圍內有兩個吸收峰，在波數為1060-1140cm^-1范圍內有兩個吸收峰。

作為上述方案的改進，所述聚酰亞胺的FT-IR譜圖在波數為800-840cm^-1范圍內的兩個吸收峰，波數短的吸收峰的透光率小于波數長的吸收峰的透光率。

作為上述方案的改進，所述聚酰亞胺的FT-IR譜圖在波數為810-830cm^-1范圍內的兩個吸收峰，波數短的吸收峰的透光率小于波數長的吸收峰的透光率。

作為上述方案的改進，所述聚酰亞胺的FT-IR譜圖在波數為810cm^-1上具有第一吸收峰，在波數為823cm^-1上具有第二吸收峰，且第一吸收峰的透光率小于第二吸收峰的透光率。

作為上述方案的改進，所述聚酰亞胺的FT-IR譜圖在波數為1060-1140cm^-1范圍內的兩個吸收峰，波數短的吸收峰的透光率小于波數長的吸收峰的透光率。