[發明專利]三維存儲器及其制造方法

在審

• 申請號: 201810341662.3
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108428703A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 劉峻;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳;陳麗麗

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構包括沿垂直于所述襯底的方向依次排列的若干層字線，所述字線具有沿自所述襯底指向堆疊結構的方向突出的增厚部，所述增厚部位于所述字線的端部，所述字線的所述端部與插塞的一端連接，所述插塞的另一端用于與互連結構連接。

2.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述字線還具有厚度均勻的字線本體部，所述增厚部位于所述字線本體之上；

所述增厚部的邊緣沿水平方向突出于所述字線本體部的邊緣。

3.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述堆疊結構中的所述字線沿垂直于所述襯底的方向依次排序；

相鄰的兩個第奇數層所述字線中，較靠近所述襯底的所述字線的邊緣沿水平方向突出于另一層所述字線的邊緣，與所述第奇數層的所述字線連接的插塞沿第一方向排列。

4.如權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，相鄰的兩個第偶數層所述字線中，較靠近所述襯底的所述字線的邊緣沿水平方向突出于所述另一層所述字線的邊緣，與所述第偶數層的所述字線連接的插塞沿第二方向排列；所述第一方向與所述第二方向呈設定角。

5.如權利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，所述設定角為90度。

6.如權利要求1至5任一項所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：層間絕緣層，填充在相鄰兩層所述字線之間。

7.如權利要求1至5任一項所述的三維存儲器，其特征在于，所述字線的材料包括鎢。

8.如權利要求1至5任一項所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器為3D NAND存儲器。

9.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底；

在所述襯底上形成堆疊結構，所述堆疊結構包括沿垂直于所述襯底的方向依次排列的若干層字線，所述字線具有沿自所述襯底指向堆疊結構的方向突出的增厚部，所述增厚部位于所述字線的端部，所述字線的所述端部與插塞的一端連接，所述插塞的另一端用于與互連結構連接。

10.如權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成堆疊結構的具體步驟包括：

形成堆疊層，所述堆疊層包括沿垂直于所述襯底的方向交替堆疊的層間絕緣層與犧牲層，所述堆疊層的端部形成有臺階結構，所述臺階結構包含若干層臺階；

去除位于所述臺階表面的所述層間絕緣層，暴露位于所述臺階的犧牲層；

沉積犧牲層材料于暴露的所述犧牲層表面，增加所述犧牲層在端部的厚度；去除所述堆疊層中的犧牲層，形成空隙區域；

填充導電層于所述空隙區域，形成所述字線。

11.如權利要求10所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，去除位于所述臺階表面的所述層間絕緣層之前還包括如下步驟：

去除所述犧牲層的端部，在相鄰層間絕緣層之間形成一凹槽；

形成層間絕緣材料層，所述層間絕緣材料層至少填充在所述凹槽內。

12.如權利要求11所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，沉積犧牲層材料于暴露的所述犧牲層表面的具體步驟包括：

沉積犧牲層材料于已暴露的犧牲層、層間絕緣層和層間絕緣材料層的所述臺階表面；

去除沉積于所述臺階的側墻表面的犧牲層材料。

13.如權利要求12所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述堆疊結構中的所述字線沿垂直于所述襯底的方向依次排序；

相鄰的兩個第奇數層所述字線中，較靠近所述襯底的所述字線的邊緣沿水平方向突出于另一層所述字線的邊緣，與所述第奇數層的所述字線連接的插塞沿第一方向排列。