[發明專利]一種金屬掩膜版

在審

• 申請號: 201810340969.1
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108330439A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 曹阿江
• 申請（專利權）人: 湖州博立科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24
• 代理公司: 杭州新源專利事務所(普通合伙) 33234
• 代理人: 李大剛

本發明公開了一種金屬掩膜版，包括基體(1)，基體(1)上設有通孔(2)，通孔(2)和基體(1)的上表面的交線為上開口(3)，通孔(2)和基體(1)的下表面的交線為下開口(4)，上開口(3)的面積大于下開口(4)面積；上開口(3)相對于下開口(4)向外的偏移距離大于基體(1)的厚度。本發明具有薄膜成型后圖案不發生偏移、圖案邊界清晰的特點。

技術領域

本發明涉及一種掩膜裝置，特別是一種金屬掩膜版。

背景技術

在電子產品制作過程中需要將特定的圖案轉移到基板上，這種用來轉移圖形的裝置稱為掩膜版。通常將掩膜版分為光掩膜版和金屬掩膜版兩大類。光掩膜版主要用于光刻工藝，整個光刻過程包括表面處理、旋涂、前烘、曝光、后烘、顯影、刻蝕等步驟。因此，利用光掩膜版雖然可以獲得較高的圖案精度，但是存在設備造價昂貴、工藝過程繁瑣和容易引入雜質離子等問題。金屬掩膜版由于造價較低、工藝過程簡單等原因在光伏科技研發、平面顯示面板等領域受到廣泛應用。現有的金屬掩膜版一般采用在金屬板上刻蝕出通孔的方法制作，這種金屬掩膜版中通孔的上下表面的圖案形狀和大小完全一樣，金屬掩膜版的正面和反面掩膜效果一樣。但是，由于金屬掩膜版都存在一定的厚度，在薄膜生長過程中，原子或原子團不僅在垂直于金屬掩膜版的運動方向上會受到金屬掩膜版的阻擋而且會在平行于金屬掩膜版的運動方向上受到金屬掩膜版的阻擋。這種金屬掩膜版對原子或原子團平行于金屬掩膜版方向的運動分量的阻擋作用會造成薄膜成型后的圖案與金屬掩膜版的圖案在位置上發生偏差，在需要多次掩膜的場合這種位置上的偏差會嚴重影響電子產品的成品率；此外，由于原子或原子團繞射作用的存在，最終成型的圖案邊界會變得模糊，這種模糊的圖案邊界不僅會影響電子產品的成品率而且會直接導致金屬掩膜版的精度變差。通過將厚度很小的金屬掩膜版雖然可以緩解上述問題但是存在造價高昂，容易損壞，難以貼合等問題。因此，現有的金屬掩膜版存在薄膜成型后圖案發生偏移、圖案邊界模糊不清的問題。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種金屬掩膜版。本發明具有薄膜成型后圖案不發生偏移、圖案邊界清晰的特點。

本發明的技術方案：一種金屬掩膜版，包括基體，基體上設有通孔，通孔和基體的上表面的交線為上開口，通孔和基體的下表面的交線為下開口，上開口的面積大于下開口面積；上開口相對于下開口向外的偏移距離大于基體的厚度。

前述的金屬掩膜版中，所述上開口，設有上倒角。

前述的金屬掩膜版中，所述下開口，設有下倒角。

與現有技術相比，本發明可以解決薄膜成型后圖案發生偏移、圖案邊界模糊的問題。本發明通過將金屬掩膜版中的通孔設置成上開口和下開口形狀相似但大小不同的結構避免了因為上開口的阻擋產生的圖案偏移，由于上開口面積大于下開口面積，原子或原子團從上開口進入到下開口的過程中不會因為上開口的阻擋而產生圖案偏移，最終形成的薄膜圖案會和下開口的圖案完全重合；由于下開口邊緣處產生掩膜作用的基體有效厚度很薄，原子或原子團失去了在下開口處產生繞射的空間，因此薄膜邊界清晰。本發明具有薄膜成型后圖案不發生偏移、圖案邊界清晰的特點。

附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖；

圖2是本發明和待鍍基板的剖視圖；

附圖中的標記為：1-基體，2-通孔，3-上開口，4-下開口，5-上倒角，6-下倒角，7-待鍍基板，8-偏移距離。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的說明，但并不作為對本發明限制的依據。

實施例。金屬掩膜版，構成如圖1-2所示，包括基體1，基體1上設有通孔2，通孔2和基體1的上表面的交線為上開口3，通孔2和基體1的下表面的交線為下開口4，上開口3的面積大于下開口4面積；上開口3相對于下開口4向外的偏移距離8大于基體1的厚度。