[發(fā)明專利]一種具有端面光柵選擇機構的端面發(fā)射半導體激光器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810340718.3
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108512032A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 崔碧峰;程瑾;王陽;房天嘯;郝帥
• 申請（專利權）人: 北京工業(yè)大學
• 主分類號: H01S5/06
• 分類號: H01S5/06
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 張慧

1.一種具有端面光柵選擇機構的端面發(fā)射半導體激光器，其特征在于，在襯底1上，采用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)依次生長下限制層2、具有量子阱結構的有源層3、上限制層4、蓋層5、正面電極6、背面電極7；采用離子輔助電子束蒸發(fā)(IAEBE)方法在所述外延結構的出光端面制備增透膜8，再在上面制備一層介質膜、金屬膜或柔性膜9，再在上面刻出光柵10。

2.根據權利要求1所述的具有端面光柵選擇機構的端面發(fā)射半導體激光器，其特征在于，光柵10對激光器的光輸出具有偏振選擇作用。

3.根據權利要求1所述的具有端面光柵選擇機構的端面發(fā)射半導體激光器，其特征在于，介質膜、金屬膜或柔性膜9的厚度可以是1/2、1/3、1/4的激射波長或是1/2、1/3、1/4的激射波長的整數倍。

4.根據權利要求1所述的具有端面光柵選擇機構的端面發(fā)射半導體激光器，其特征在于，使用電子束光刻、全息離子束刻蝕、激光干涉光刻或其他技術在上面刻出光柵10。

5.根據權利要求1所述的具有端面光柵選擇機構的端面發(fā)射半導體激光器，其特征在于，光柵分布方式垂直于結或平行于結。