[發明專利]光學薄膜和光學元件的制造方法

在審

• 申請號: 201810340346.4
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN108732659A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 松本誠謙;圷收;星野和弘
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00;G02B5/04;G02B1/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉強

1.一種設置在基底基材上的光學薄膜，包括：

主成分為氧化鐿的層；和

布置在所述主成分為氧化鐿的層上的主成分為氟化鎂的層，所述主成分為氟化鎂的層相對于所述主成分為氧化鐿的層、與所述基底基材相對配置。

2.根據權利要求1所述的光學薄膜，其中所述主成分為氧化鐿的層布置在主成分為硅化合物的層上，所述主成分為氧化鐿的層相對于所述主成分為硅化合物的層與所述基底基材相對配置。

3.根據權利要求1所述的光學薄膜，其中所述主成分為氧化鐿的層的厚度為3nm以上且15nm以下。

4.根據權利要求1或2所述的光學薄膜，其中在氧化鐿的固有取向(222)、(440)和(622)方面，所述主成分為氧化鐿的層具有通過X射線衍射測量的以(222)、(440)、(622)的次序為高的衍射峰。

5.根據權利要求2所述的光學薄膜，其中所述主成分為氧化鐿的層和所述主成分為硅化合物的層之間的界面的粗糙度小于所述主成分為氧化鐿的層和所述主成分為氟化鎂的層之間的界面的粗糙度。

6.根據權利要求2所述的光學薄膜，其中在所述主成分為氧化鐿的層中，在較接近于所述主成分為氟化鎂的層的一側的晶體粒徑大于在較接近于所述主成分為硅化合物的層的一側的晶體粒徑。

7.根據權利要求1或2所述的光學薄膜，其中所述主成分為氟化鎂的層和所述主成分為氧化鐿的層包含氬。

8.一種光學元件，包括：

基底基材，和

設置在基底基材上的權利要求1或2所述的光學薄膜。

9.一種光學元件的制造方法，在該光學元件中，多層膜設置在基底基材上，所述方法包括

通過濺射工藝形成主成分為氧化鐿的層；和

通過濺射工藝在所述主成分為氧化鐿的層上形成主成分為氟化鎂的層。

10.根據權利要求9所述的光學元件的制造方法，其中在通過濺射工藝形成所述主成分為氧化鐿的層時，在濺射工藝期間氧與引入腔室的氣體的比率增大。

11.根據權利要求9所述的光學元件的制造方法，其中在通過濺射工藝形成所述主成分為氧化鐿的層時，通過控制在濺射工藝期間氧與引入腔室的氣體的比率，將區域從過渡區域轉換成氧化區域。