[發(fā)明專利]薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其可撓性基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810339871.4
• 申請日: 2018-04-16
• 公開（公告）號: CN110164825B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝慶堂;李俊德
• 申請（專利權(quán)）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/00
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含：

芯片；以及

可撓性基板，具有薄膜及線路層，該薄膜具有第一表面及相對于該第一表面的第二表面，該線路層形成于該第一表面，至少一個凹槽凹設(shè)于該第二表面，該凹槽具有槽底面，芯片設(shè)置區(qū)位于該凹槽正上方的該第一表面上，該芯片設(shè)置于該芯片設(shè)置區(qū)并電性連接該線路層，其中該可撓性基板以位于該第一表面的該線路層與外部電子元件接合時，該可撓性基板被彎折而形成有多個平板部及至少一個彎折部，該彎折部位于該些平板部之間，該芯片及該凹槽分別位于該彎折部的兩側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該凹槽是由激光燒蝕該薄膜所形成。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該槽底面與該第一表面之間具有厚度，該厚度不小于6μm。

4.如權(quán)利要求3所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該厚度介于6-20μm之間。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該凹槽位于該彎折部的外緣。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該可撓性基板另具有保護層，該保護層覆蓋該第一表面及該線路層，該線路層的一部分位于該保護層及該凹槽之間。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該線路層的一部分位于該芯片及該凹槽之間。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該凹槽的寬度不小于該芯片的寬度。

9.如權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其另包含封裝膠體，該封裝膠體填充于該芯片及該可撓性基板之間，該凹槽的寬度不小于該封裝膠體的寬度。

10.一種可撓性基板，其特征在于，其包含：

線路層；以及

薄膜，具有第一表面及相對于該第一表面的第二表面，該線路層形成于該第一表面，至少一個凹槽凹設(shè)于該第二表面，該凹槽具有槽底面，芯片設(shè)置區(qū)位于該凹槽正上方的該第一表面上，其中該可撓性基板以位于該第一表面的該線路層與外部電子元件接合時，該可撓性基板被彎折而形成有多個平板部及至少一個彎折部，該彎折部位于該些平板部之間，該芯片設(shè)置區(qū)及該凹槽分別位于該彎折部的兩側(cè)。

11.如權(quán)利要求10所述的可撓性基板，其特征在于，其中該凹槽是由激光燒蝕該薄膜所形成。

12.如權(quán)利要求10所述的可撓性基板，其特征在于，其中該槽底面與該第一表面之間具有厚度，該厚度不小于6μm。

13.如權(quán)利要求12所述的可撓性基板，其特征在于，其中該厚度介于6-20μm之間。

14.如權(quán)利要求10所述的可撓性基板，其特征在于，其中該凹槽位于該彎折部的外緣。

15.如權(quán)利要求10所述的可撓性基板，其特征在于，其另包含保護層，該保護層覆蓋該第一表面及該線路層，該線路層的一部分位于該保護層及該凹槽之間。