[發(fā)明專利]一種功率半導(dǎo)體芯片集成元胞柵電阻版圖設(shè)計(jì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810339861.0
• 申請(qǐng)日: 2018-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN108550567B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔磊;張璧君;吳鵬飛;金銳;潘艷;溫家良;吳軍民;田麗欣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 馬永芬

1.一種功率半導(dǎo)體器件，包括功率半導(dǎo)體芯片，所述功率半導(dǎo)體芯片包括柵極區(qū)和元胞區(qū)，其特征在于：所述元胞區(qū)內(nèi)并聯(lián)設(shè)置多個(gè)元胞，所述元胞包括元胞柵焊盤、元胞柵以及設(shè)置在元胞柵焊盤和元胞柵之間的第一電阻單元，所述柵極區(qū)內(nèi)設(shè)置有柵電極和柵匯流條，每個(gè)元胞的所述元胞柵焊盤依次連接所述柵匯流條。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一電阻單元的電阻阻值等于或大于所述柵匯流條的寄生電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一電阻單元包括至少一個(gè)電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述電阻包括多個(gè)串聯(lián)的電阻或多個(gè)并聯(lián)的電阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述功率半導(dǎo)體芯片為至少一個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述功率半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)串聯(lián)的功率半導(dǎo)體芯片和/或多個(gè)并聯(lián)的功率半導(dǎo)體芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述功率半導(dǎo)體芯片的所述柵電極和所述柵匯流條之間串聯(lián)有第二電阻單元。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第二電阻單元包括多個(gè)串聯(lián)的電阻或多個(gè)并聯(lián)的電阻。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、6、7或8任意一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一電阻單元的圖形包括不規(guī)則圖形。

10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、6、7或8任意一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述功率半導(dǎo)體芯片包括垂直型半導(dǎo)體器件。