[發(fā)明專利]具有透明抗菌多層膜的鍍膜器件及抗菌多層膜的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810339842.8 | 申請日: | 2018-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN108531858B | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 游順青;廖新;程朝陽 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌科勒有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/08 | 分類號: | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京邦信陽專利商標代理有限公司 11012 | 代理人: | 金璽 |
| 地址: | 330096 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 透明 抗菌 多層 鍍膜 器件 形成 方法 | ||
1.一種形成透明抗菌多層膜的方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)對待鍍件的表面進行除油、除蠟和除塵;
2)對待鍍件進行等離子處理;
3)在經(jīng)步驟2)處理的待鍍件的表面鍍第一二氧化鈦膜,第一二氧化鈦膜的厚度為15-20nm;步驟3)中采用中頻磁控濺射鍍所述第一二氧化鈦膜,工藝條件包括:中頻電源功率為3-8KW,負偏壓為80-200V,占空比為40%-80%,Ar/O2總流量為150-250sccm,鍍膜時間為4-8min;靶材為鈦靶;
4)在所述第一二氧化鈦膜的表面鍍周期膜,所述周期膜以相互層疊的二氧化鈦膜和氧化鋅膜為一個周期,周期數(shù)為一個以上,周期膜的厚度為50-70nm;
步驟4)采用中頻磁控濺射形成所述周期膜,工藝條件包括:中頻電源功率為3-8KW,負偏壓為80-200V,占空比為40%-80%,Ar/O2總流量為150-250sccm,鍍膜時間為15-30min;靶材為鈦鈀和氧化鋅;
5)在所述周期膜的表面鍍第二二氧化鈦膜,所述第二二氧化鈦膜的厚度為18-30nm;步驟5)采用中頻磁控濺射鍍所述第二二氧化鈦膜,工藝條件包括:中頻電源功率為3-8KW,負偏壓為80-200V,占空比為40%-80%,Ar/O2總流量為150-250sccm,鍍膜時間為6-15min;靶材為鈦靶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟4)中,所述周期數(shù)為2-4個周期。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟4)中,所述周期膜中與所述第一二氧化鈦膜相接觸的膜層為二氧化鈦膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟2)進行所述等離子處理的工藝條件包括:真空度為1.5-5.0×10-5Torr,通入500-1000sccm氬氣,離子源電壓控制為750-800V,處理時間為8-12min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法,其特征在于,步驟3)中,所述鈦靶為純度>99.95%的旋轉(zhuǎn)鈦靶。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法,其特征在于,步驟4)中,所述靶材為純度>99.95%的旋轉(zhuǎn)鈦靶和氧化鋅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法,其特征在于,步驟5)中,所述鈦靶為純度>99.95%的旋轉(zhuǎn)鈦靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法,其特征在于,所述待鍍件的表面為塑料或金屬材質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述待鍍件的表面為電鍍了鉻或PVD裝飾膜的塑料或金屬材質(zhì)。
10.一種具有透明抗菌多層膜的鍍膜器件,其特征在于,所述鍍膜器件包括鍍膜器件本體及形成于鍍膜器件本體表面的透明抗菌多層膜;所述透明抗菌多層膜包括形成于鍍膜器件本體表面的第一二氧化鈦膜、形成于所述第一二氧化鈦膜表面的周期膜和形成于所述周期膜表面的第二二氧化鈦膜,所述周期膜以相互層疊的二氧化鈦膜和氧化鋅膜為一個周期,周期數(shù)為一個以上;
所述第一二氧化鈦膜厚度為15-20nm;所述第二二氧化鈦膜的厚度為18-30nm,所述周期膜的厚度為50-70nm;
所述鍍膜器件本體表面的透明抗菌多層膜采用權(quán)利要求1-9任一項所述的方法形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有透明抗菌多層膜的鍍膜器件,其特征在于,所述周期膜中與所述第一二氧化鈦膜相接觸的膜層為二氧化鈦膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有透明抗菌多層膜的鍍膜器件,其特征在于,所述周期膜的周期數(shù)為2-4個周期。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





