[發明專利]一種基于硼烯的納米開關器件在審
| 申請號： | 201810339107.7 | 申請日： | 2018-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN108766966A | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發明（設計）人： | 安義鵬;焦聚濤;康軍帥;武大鵬;劉志勇;趙永;丁興東;焦照勇 | 申請（專利權）人： | 河南師范大學 |
| 主分類號： | H01L27/085 | 分類號： | H01L27/085;H01L29/778;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 新鄉市平原智匯知識產權代理事務所(普通合伙) 41139 | 代理人： | 路寬 |
| 地址： | 453007 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米開關 電路 褶皺 技術方案要點 器件技術領域 雙電路系統 閉合回路 尺寸可調 方向電路 器件性能 原子排列 垂直的 四電極 單層 關態 開態 氫化 飽和 組建 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于硼烯的納米開關器件，其特征在于該納米開關器件由具有褶皺型的雙面氫化飽和的單層硼烯構成。
2.根據權利要求1所述的基于硼烯的納米開關器件，其特征在于：所述的硼烯上根據原子排列位置在相互垂直的L型方向和Z型方向分別搭建電路組建四電極雙電路系統，當開關旋轉至L型方向電路并構成閉合回路時電路處于開態，當開關旋轉至Z型方向并構成回路時電路處于關態。
3.根據權利要求2所述的基于硼烯的納米開關器件，其特征在于：所述的四電極雙電路系統由L型方向源極和漏極及Z型方向源極和漏極構成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
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H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
