[發(fā)明專利]一種用于半導體封裝的導電漿料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810337799.1 | 申請日： | 2018-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN108538444B | 公開（公告）日： | 2020-03-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張昱;鄒其昱;崔成強;張凱;陳云;高健 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東工業(yè)大學 |
| 主分類號： | H01B1/22 | 分類號： | H01B1/22;H01B13/00;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 張春水;唐京橋 |
| 地址： | 510060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 半導體 封裝 導電 漿料 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于半導體封裝的導電漿料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a)在質(zhì)子酸和摻雜劑的混合液中，攪拌加入納米金屬顆粒后，再加入導電高分子單體，得到含納米金屬顆粒的導電高分子原位聚合反應液；
b)將所述含納米金屬顆粒的導電高分子原位聚合反應液在攪拌下進行導電高分子原位聚合反應，得到含導電聚合物包覆的納米金屬的分散溶液；
c)將所述含導電聚合物包覆的納米金屬的分散溶液進行干燥，得到導電聚合物包覆的納米金屬；
d)將溶劑、分散劑和粘度調(diào)節(jié)劑進行混合后再攪拌加入所述導電聚合物包覆的納米金屬，進行分散，得到導電漿料；
所述導電漿料由導電填料、溶劑、分散劑和粘度調(diào)節(jié)劑制成，所述導電填料為導電聚合物包覆的納米金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述納米金屬顆粒的粒徑為50nm～500nm；
所述納米金屬顆粒為納米銅顆粒、納米鈀顆粒、納米鎳顆粒、納米銀顆粒和納米金顆粒中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溶劑為水、乙醇、丙酮、乙二醇、丙三醇、二甲苯異丙醇雙酚A、環(huán)氧氯丙烷、環(huán)氧樹脂、伯胺、叔胺、酸酐、苯酚、糠醛和間苯二酚中的一種或多種；
所述分散劑為阿拉伯膠、聚乙烯醇、聚乙二醇、明膠、聚乙烯烷酮咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、苯基咪唑和2-乙基咪唑中的一種或多種；
所述粘度調(diào)節(jié)劑為甲基纖維素、乙基纖維素、羥基纖維素、伯胺、叔胺和酸酐中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，導電填料、溶劑、分散劑和粘度調(diào)節(jié)劑的重量百分比為8％～90％：8％～90％：1％～10％：1％～10％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟a)中所述摻雜劑和所述納米金屬顆粒的摩爾比為1：1～5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟b)中所述導電高分子原位聚合反應的溫度為20～40℃；
步驟b)中所述導電高分子原位聚合反應的時間為10～300min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟a)中所述質(zhì)子酸為硫酸、醋酸、鹽酸、高氯酸和硝酸中的一種或多種；
步驟a)中所述摻雜劑為過硫酸鈉、重鉻酸鉀、碘酸鉀、雙氧水、過硫酸銨和氯化鐵中的一種或多種；
步驟a)中所述導電高分子單體為苯胺、吡咯、噻吩、苯炔、奈和呋喃中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述質(zhì)子酸在所述含納米金屬顆粒的導電高分子原位聚合反應液中的濃度為0.001～1M；
所述摻雜劑在所述含納米金屬顆粒的導電高分子原位聚合反應液中的濃度為0.001～0.5M。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述導電高分子單體在所述含納米金屬顆粒的導電高分子原位聚合反應液中的濃度為0.001～0.5M。
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