[發明專利]一種用于自均壓式多斷口真空斷路器的真空滅弧室

在審

• 申請號: 201810337488.5
• 申請日: 2018-04-12
• 公開（公告）號: CN108321000A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 廖敏夫;盧剛;段雄英;張豪;張曉莉;黃智慧;鄒積巖
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: H01H33/664
• 分類號: H01H33/664;H01H33/662;C04B35/10;C04B35/468
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 梅洪玉

1.一種用于自均壓式多斷口真空斷路器的真空滅弧室，其特征在于，包括上端蓋(1)、靜觸頭(2)、BST陶瓷殼(4)、屏蔽罩(5)、動觸頭(6)、波紋管屏蔽罩(7)、波紋管(8)和下端蓋(9)；

所述的BST陶瓷殼(4)為柱狀中空結構，上端蓋(1)和下端蓋(9)分別與BST陶瓷殼(4)上下兩端密閉連接，構成真空密閉空間；

所述的屏蔽罩(5)固定于BST陶瓷殼(4)內壁；靜觸頭(2)的上部與上端蓋(1)的下端面連接；動觸頭(6)的下端軸穿透下端蓋(9)，其下端軸上套有與下端蓋(9)連接的波紋管(8)，波紋管(8)起彈簧作用，使動觸頭(6)能夠在BST陶瓷殼(4)內上下運動；靜觸頭(2)與動觸頭(6)同軸對應，靜觸頭(2)的下部和與動觸頭(6)的上部置于屏蔽罩(5)內部；波紋管屏蔽罩(7)套裝在波紋管(8)的外部；

所述的BST陶瓷殼(4)采用鈦酸鋇鍶摻雜的高介電常數的陶瓷材料BST，其組分以質量百分比計，包括60％的BaTiO₃，25％的SrTiO₃，13％的Bi₂O₃·3TiO₂，1.5％的Co₂O₃和0.5％的Fe₃O₄。

2.如權利要求1所述的真空滅弧室，其特征在于，還包含陶瓷內殼(3)，所述的陶瓷內殼(3)為柱狀中空結構，置于BST陶瓷殼(4)和屏蔽罩(5)之間；陶瓷內殼(3)采用含95％氧化鋁的CaO-Al₂O₃-SiO₂體系高鋁瓷。

3.如權利要求1或2的真空滅弧室，其特征在于，BST陶瓷殼(4)的介電常數為2300，絕緣電阻大于1×10¹¹Ω。

4.如權利要求1或2所述的真空滅弧室，其特征在于，BST陶瓷殼(4)的尺寸參數滿足公式7.82L＝(R₁-R₂)；

其中，L為BST陶瓷殼(4)高度，R₁為BST陶瓷殼(4)的外徑，R₂為BST陶瓷殼(4)的內徑。

5.如權利要求3所述的真空滅弧室，其特征在于，BST陶瓷殼(4)的尺寸參數滿足公式7.82L＝(R₁-R₂)；

其中，L為BST陶瓷殼(4)高度，R₁為BST陶瓷殼(4)的外徑，R₂為BST陶瓷殼(4)的內徑。