[發(fā)明專利]一種平面二維大角度掃描天線陣列有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810337437.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108666751B | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉淑芳;王府生;史小衛(wèi);張靜雅;李慧敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q1/38 | 分類號(hào): | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q9/04;H01Q21/06;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 11570 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微帶貼片 介質(zhì)基板 互補(bǔ)偶極子 天線陣列 天線 大角度掃描 平面二維 同軸饋電 上表面 地板 天線技術(shù)領(lǐng)域 短路金屬柱 布陣方式 副瓣電平 技術(shù)效果 開口凹槽 掃描過程 增益波動(dòng) 垂直 貫穿 | ||
1.一種平面二維大角度掃描天線陣列,其特征在于,所述天線陣列包括第一陣列和第二陣列,其中,所述第一陣列包括N個(gè)互補(bǔ)偶極子天線,所述第二陣列包括M個(gè)互補(bǔ)偶極子天線,所述互補(bǔ)偶極子天線包括:
介質(zhì)基板;
第一微帶貼片,所述第一微帶貼片設(shè)置在所述介質(zhì)基板的上表面,其中,所述第一微帶貼片具有一半開口凹槽;
第二微帶貼片,所述第二微帶貼片設(shè)置在所述介質(zhì)基板的上表面,且,所述第二微帶貼片與所述第一微帶貼片相垂直;
地板,所述地板設(shè)置在所述介質(zhì)基板底部;
同軸饋電,所述同軸饋電貫穿所述介質(zhì)基板設(shè)置,且,所述同軸饋電的內(nèi)芯與所述第二微帶貼片連接,所述同軸饋電的外導(dǎo)體與所述地板連接;
P個(gè)短路金屬柱,所述P個(gè)短路金屬柱等間距設(shè)置在所述第一微帶貼片與所述半開口凹槽相對(duì)的一側(cè),且貫穿所述介質(zhì)基板,使得所述第一微帶貼片與所述地板相連接;
其中,所述第二微帶貼片的電流通過所述半開口凹槽耦合到所述第一微帶貼片上之后,通過所述P個(gè)短路金屬柱流入所述地板上;
所述第一微帶貼片、所述第二微帶貼片均為矩形。
2.如權(quán)利要求1所述的天線陣列,其特征在于,所述天線陣列還包括:
所述第一陣列設(shè)置在第一面上,所述第二陣列設(shè)置在第二面上,其中,所述第二面與所述第一面不同。
3.如權(quán)利要求1所述的天線陣列,其特征在于,所述天線陣列還包括:
N、M均為正整數(shù),且N與M相等。
4.如權(quán)利要求1所述的天線陣列,其特征在于,所述天線陣列還包括:
相鄰的所述互補(bǔ)偶極子天線之間的間距相等。
5.如權(quán)利要求1所述的天線陣列,所述地板的尺寸與所述介質(zhì)基板的尺寸相同。
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