[發(fā)明專利]一種調(diào)控超薄鐵磁薄膜磁性能的鐵電器件的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810337141.0 | 申請日： | 2018-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN108417708A | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田莉;趙曉林;王建祿 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖南工程學院 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 湘潭市匯智專利事務所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 冷玉萍 |
| 地址： | 411104 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鐵磁薄膜 制備 鐵電器件 磁性能 電薄膜 有機鐵 基鐵電 極化 襯底 光刻 刻蝕 薄膜 調(diào)控 表面制備 電極引腳 表測量 電性能 加電場 朗謬爾 字標記 凝膠 保證 研究 | ||
1.一種調(diào)控超薄鐵磁薄膜磁性能的鐵電器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)采用雙離子束濺射方法在襯底上生長鐵磁薄膜，其中襯底材料為覆蓋有SiO2的100取向的單晶Si片或100取向的SrTiO3單晶片；
(2)采用lift-off方法在超薄鐵磁薄膜的表面制備出Ti/Au“十”字標記，以校準后續(xù)所需的光刻圖形；
(3)在鐵磁薄膜表面通過旋涂光刻膠、前烘、紫外光曝光、顯影、后烘、Ar離子刻蝕步驟，得到所需的鐵磁薄膜圖形；再次采用lift-off方法在鐵磁薄膜上濺射生長Ti/Au電極引腳；
(4)在具有鐵磁薄膜圖形的襯底上制備PVDF基鐵電薄膜；
(5)采用熱蒸發(fā)或雙離子束濺射方法在PVDF基鐵電薄膜的表面制備金屬Al薄膜；然后通過涂光刻膠、前烘、紫外光曝光、顯影、后烘、Ar離子刻蝕等步驟得Al電極圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控超薄鐵磁薄膜磁性能的鐵電器件的制備方法，其特征在于，所述的鐵磁薄膜的厚度為1-2納米，鐵磁薄膜的種類為鐵磁金屬Fe、Co或Ni中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控超薄鐵磁薄膜磁性能的鐵電器件的制備方法，其特征在于，所述的Ti/Au“十”字標記需在步驟(2)的前半部分完成，以校準后續(xù)所需的光刻圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控超薄鐵磁薄膜磁性能的鐵電器件的制備方法，其特征在于，所述的PVDF基鐵電薄膜為P(VDF-TrFE)薄膜或PVDF薄膜，其制備方法為溶膠-凝膠方法或朗謬爾-布羅基特方法。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控超薄鐵磁薄膜磁性能的鐵電器件的制備方法，其特征在于，旋涂光刻膠的轉(zhuǎn)速為3000-4000轉(zhuǎn)每分鐘；前烘溫度為80-85℃，時間15-20分鐘；紫外光曝光時間為15-20秒；采用AZ1500顯影液顯影1-1.5分鐘；采用電阻為18.2MΩ的超純水清洗；后烘溫度為110-120℃，時間15-20分鐘。
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