[發明專利]一種可同時去除集成電路重布線層和凸塊的組合物及其制備和使用方法在審
| 申請號: | 201810336679.X | 申請日: | 2018-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN108598008A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 邱滟;徐鵬 | 申請(專利權)人: | 全訊射頻科技(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顧吉云 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發煙硝酸 去離子水 去除 制備 組合物處理 組合物溶液 清洗干燥 失效分析 完全溶解 重布線層 無損傷 稱取 放入 凸塊 成功率 集成電路 配制 式樣 計時 取出 配置 保證 | ||
本發明提供了一種可同時去除RDL和bump的組合物,其配制方便,在保持較高去除速度的同時對式樣無損傷,可有效保證失效分析的成功率;本發明還提供了該組合物的制備方法及使用該組合物處理含有RDL和bump的產品的方法。該組合物其各原料組分及重量分別為:FeCl3:1份~4份;發煙硝酸:1份~5份;去離子水:1份~8份;按照上述比例分別稱取適量的FeCl3固體、發煙硝酸和去離子水,將去離子水加入到裝有FeCl3固體的容器中,充分攪拌至FeCl3完全溶解,再將發煙硝酸緩慢加入到FeCl3溶液中,充分攪拌均勻;將產品放入配置好的組合物溶液中,計時至反應結束后取出,清洗干燥。
技術領域
本發明屬于無機組合物領域,主要涉及一種可同時去除集成電路重布線層和凸塊的組合物及其制備和使用方法。
背景技術
重新布線是通過晶圓級金屬布線制程和凸塊制程改變原來設計的IC線路接點位置(I/O pad),使IC能適用于不同封裝形式的一種技術。晶圓級金屬布線制程,是在IC上涂布一層絕緣保護層,再以曝光顯影的方式定義新的導線圖案,然后利用電鍍技術制作新的金屬線路,以連接原來鋁墊和新的凸塊或者金墊,達到線路重新分布的目的。
重布線層(RDL)的金屬線路先做一層種子層,再電鍍銅,根據需要也可在銅線路上鍍鎳金或者鎳鈀金,再結合凸塊(bump)技術,組成了先進封裝技術的一部分,其中,凸塊技術一般采用材料錫。近年來,隨著RDL和bump技術的發展,工藝難度與日俱增,研發及生產過程中發生的問題越來越復雜,對失效分析的要求越來越高,只有不斷開發并完善與之相匹配的失效分析方法,才能保證持續提升這些先進工藝的良率,降低成本,并最終實現量產。在對含有RDL和bump產品的失效分析中,去除RDL和bump是其中重要的一步,高效高質量的去除RDL和bump是保證失效分析時效性及能否找到原因的關鍵。目前使用的去除RDL和bump的配方存在諸多缺陷,比如:一次只能去除一種物質,或存在對IC有損傷的風險,導致需要分析的目標被破壞,而觀察不到失效原因等。例如目前常用的高濃度發煙硝酸只能高效去除RDL,且易對式樣造成損傷。
開發一種能同時去除RDL和bump的配方,并且對式樣沒有任何損傷,是保證失效分析成功率的必然要求。
發明內容
針對現有技術中一次只能去除一種物質且易損傷式樣等問題,本發明提供了一種可同時去除RDL和bump的組合物,其配制方便,在保持較高去除速度的同時對產品無損傷,可有效保證失效分析的成功率。
其技術方案是這樣的:一種可同時去除集成電路重布線層和凸塊的組合物,其各原料組分及重量分別為:
FeCl3:1份~4份;
發煙硝酸:1份~5份;
去離子水:1份~8份。
該組合物的制備方法為:
按照上述比例分別稱取適量的FeCl3固體、發煙硝酸和去離子水;將去離子水加入到裝有FeCl3固體的容器中,充分攪拌至FeCl3完全溶解,再將發煙硝酸緩慢加入到FeCl3溶液中,充分攪拌均勻,完成配液。
使用該組合物處理含有RDL和bump的產品的方法為:
根據公式:去除時間=RDL厚度/去除速率,計算組合物的去除時間;將產品放入配置好的組合物溶液中,計時至反應結束后將產品從溶液中取出,清洗干燥。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





