[發明專利]一種Cu-Mo梯度薄膜材料及其制備方法在審
| 申請號： | 201810335076.8 | 申請日： | 2018-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN108504993A | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發明（設計）人： | 張昌欽;其他發明人請求不公開姓名 | 申請（專利權）人： | 山東建筑大學 |
| 主分類號： | C23C14/16 | 分類號： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 梯度薄膜 濺射功率 共濺射 靶位 多靶磁控濺射 參數控制 高純銅靶 厚度可變 濺射材料 鈉鈣玻璃 高真空 固定銅 膜材料 梯度層 鉬靶材 沉積 基底 銅箔 鉬靶 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種Cu-Mo梯度薄膜材料及其制備方法，包括：
一種Cu和Mo元素含量呈梯度變化的Cu-Mo二元合金薄膜材料，該材料采用高真空雙靶磁控濺射方法制備而成。
2.根據權利要求1所述的Cu-Mo二元合金薄膜材料，其特征在于：
Cu元素在合金薄膜中的原子百分含量可以在50%~100%之間變化，余量為Mo元素。
3.根據權利要求1所述的Cu-Mo二元合金薄膜材料，其特征在于：
薄膜的厚度可在1 μm ~ 50 μm之間變化，薄膜的面積可在5 cm × 5 cm ~ 10 cm ×10 cm之間變化。
4.根據權利要求1所述的高真空雙靶磁控濺射方法制備Cu-Mo二元合金薄膜材料的方法，其特征在于：
在銅基底或鈉鈣玻璃基底上磁控濺射雙靶共沉積Cu-Mo薄膜，所用雙靶為銅靶和鉬靶，磁控濺射的同時在350 ℃條件下原位退火；
所述磁控濺射的條件為：銅靶所在平面中心距離沉積樣品臺中心距離為8~10 cm，鉬靶所在平面中心距離沉積樣品臺中心距離為4~6 cm，在共濺射過程中保持不變；
所述磁控濺射的條件為：銅靶的濺射功率設置在25~50 W之間并在共濺射過程中保持不變；
所述磁控濺射的條件為：鉬靶的初始濺射功率設置在25~75 W之間，根據Cu-Mo二元合金薄膜中Mo含量的梯度變化要求可在共濺射過程中調增鉬靶的濺射功率，濺射功率調節范圍為25~175 W。
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