[發明專利]一種基于高摻雜半導體的寬帶太赫茲吸收器在審
| 申請號： | 201810335032.5 | 申請日： | 2018-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN108666763A | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 朱冬穎;王玥;崔子健 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱理工大學 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150040 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高摻雜 吸收器 寬帶 半導體 吸收 等離子體材料 極化不敏感 太赫茲波段 多層材料 結構表面 兩層結構 吸收效率 電磁波 硅材料 正方體 頂層 襯底 堆疊 入射 圓環 摻雜 加工 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于高摻雜半導體的寬帶太赫茲吸收器，所述的寬帶太赫茲吸收器結構為正方體作為襯底，頂層為一圓環與圓柱組成的設計圖樣，兩層結構緊密貼合；本發明具有吸收率高、極化不敏感、寬角度入射等特點，對在太赫茲頻段的電磁波有著寬頻段的吸收。
2.根據權利要求1所述的吸收器其特征在于：
所述寬帶太赫茲吸收器的襯底為高摻雜P型硅，摻雜濃度為6.8×1017cm-3，對應的電導率為0.055Ω·cm ，其厚度為245μm，周期為200μm。
3.根據權利要求1，該寬帶太赫茲吸收器的特征在于頂層結構的圓環外半徑為75μm，內半徑為60μm，圓柱半徑為35μm，圓環與圓柱之間的間隙為25μm，結構厚度為50μm，所用材料為與襯底同為同等濃度的高摻雜硅。
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