[發明專利]一種陣列基板的制備方法及清洗液

有效

• 申請號: 201810333856.9
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN108573856B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 劉三泓
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/84
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種清洗液，用于清洗陣列基板上的鈍化膜，所述鈍化膜包括銅-苯并三氮唑配合物，其特征在于，所述清洗液包括水、無機堿、有機胺及銅螯合劑；所述清洗液的pH為10～11；所述銅螯合劑與銅的螯合能力大于苯并三氮唑與銅的螯合能力，并能與銅生成水溶性絡合物；所述有機胺用于斷裂所述銅-苯并三氮唑配合物中的配位鍵，并溶解苯并三氮唑；其中，所述有機胺包括醇胺類、酰胺類、短鏈脂肪胺、芳香胺和含氮雜環物質中的至少一種。

2.如權利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液中，銅螯合劑的質量分數為1-4％；有機胺的質量分數為2-8％，無機堿的質量分數為0.5-2％。

3.如權利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述銅螯合劑包括乙二胺四乙酸二鈉、二乙烯三胺五乙酸五鈉、亞氨基二琥珀酸鈉鹽或二乙基二硫代氨基甲酸鈉；

所述無機堿包括NaOH、KOH和氨水中的一種或多種；

其中，所述醇胺類物質包括單乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺中的一種或多種；所述酰胺類物質包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的一種或多種；所述含氮雜環物質包括哌啶、哌嗪、咪唑、吡啶、六氫吡啶和四氫吡咯中的一種或多種；所述芳香胺包括芐胺；所述短鏈脂肪胺包括一甲胺、二甲胺、三甲胺、一乙胺、二乙胺、正丙胺、異丙胺，二異丙胺、正丁胺、乙二胺、1，2-丙二胺和己二胺中的一種或多種。

4.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，在所述襯底的一面依次形成半導體層、金屬銅圖案層和光阻圖案層；

對位于所述金屬銅圖案層的溝道內的半導體層進行干法刻蝕，所述金屬銅圖案層的溝道內形成有銅粒子，所述金屬銅圖案層的溝道為所述半導體層未被所述金屬銅圖案層覆蓋的部分；

采用含苯并三氮唑的光阻剝離液剝離所述光阻圖案層，所述金屬銅圖案層上及金屬銅圖案層的溝道內在剝離過程中形成鈍化膜，所述鈍化膜包括銅-苯并三氮唑配合物；

對剝離所述光阻圖案層后的襯底采用清洗液進行清洗，以除去所述鈍化膜；其中，所述清洗液包括水、無機堿、有機胺及銅螯合劑；所述清洗液的pH為10～11；所述銅螯合劑與銅的螯合能力大于苯并三氮唑與銅的螯合能力，并能與銅生成水溶性絡合物；所述有機胺用于斷裂所述銅-苯并三氮唑配合物中的配位鍵，并溶解苯并三氮唑。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述銅螯合劑包括乙二胺四乙酸二鈉、二乙烯三胺五乙酸五鈉、亞氨基二琥珀酸鈉鹽或二乙基二硫代氨基甲酸鈉；所述銅螯合劑在清洗液中的質量分數為0.5-2％。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述有機胺在清洗液中的質量分數為2-8％。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述有機胺包括醇胺類、酰胺類、短鏈脂肪胺、芳香胺和含氮雜環物質中的至少一種；其中，所述醇胺類物質包括單乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺中的一種或多種；所述酰胺類物質包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的一種或多種；所述含氮雜環物質包括哌啶、哌嗪、咪唑、吡啶、六氫吡啶和四氫吡咯中的一種或多種；所述芳香胺包括芐胺；所述短鏈脂肪胺包括一甲胺、二甲胺、三甲胺、一乙胺、二乙胺、正丙胺、異丙胺，二異丙胺、正丁胺、乙二胺、1，2-丙二胺和己二胺中的一種或多種。

8.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述無機堿包括NaOH、KOH和氨水中的一種或多種；所述無機堿在清洗液中的質量分數為0.5-2％。

9.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述采用清洗液進行清洗之后，還包括：

在所述金屬銅圖案層及所述半導體層未被所述金屬銅圖案層覆蓋的區域上沉積保護層。

10.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述半導體層和所述襯底之間，還包括依次層疊設置在襯底上的柵極和柵極絕緣層；所述金屬銅圖案層包括同層設置在所述半導體層上的源極和漏極。