[發明專利]一種全氮生長直拉硅單晶的方法在審
| 申請號： | 201810332691.3 | 申請日： | 2018-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN108411360A | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發明（設計）人： | 張文霞;高樹良;高潤飛;張全順;劉偉;武志軍;裘孝順;田野 | 申請（專利權）人： | 內蒙古中環光伏材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等徑 氮氣 直拉硅單晶 全氮 熔化 晶體生長 輸入氣體 行業標準 電池片 硅單晶 破片率 生長 放肩 光衰 拉晶 引晶 收尾 生產 | ||
1.一種全氮生長直拉硅單晶的方法，依次包括熔化、穩溫、引晶、放肩等徑和收尾步驟，其特征在于，等徑步驟分為三個階段，其中，第二階段為：等徑200mm至等徑2000mm，輸入氣體全部為氮氣，晶體生長速度大于84mm/hr。
2.根據權利要求1所述的一種全氮生長直拉硅單晶的方法，其特征在于：等徑步驟還包括：
第一階段：等徑開始直至等徑200mm時，逐漸減小氬氣輸入量，逐漸增加氮氣輸入量直至輸入氣體全部為氮氣；
第三階段：等徑2000mm至等徑結束，逐漸減小氮氣輸入量，增加氬氣輸入量，直至等徑結束。
3.根據權利要求2所述的一種全氮生長直拉硅單晶的方法，其特征在于：所述第一階段與所述第三階段，輸入氮氣與氬氣的總流量為50slpm-120slpm，保持爐體內壓力9Torr-11Torr。
4.根據權利要求1-3任一所述的一種全氮生長直拉硅單晶的方法，其特征在于：所述第二階段輸入氮氣的流量為50slpm-120slpm，保持爐體內壓力9Torr-11Torr。
5.根據權利要求1所述的一種全氮生長直拉硅單晶的方法，其特征在于：在熔化、穩溫、引晶、放肩和收尾中，向爐體內通入50slpm-120slpm流量的氬氣，并保持爐體內壓力9Torr-11Torr。
6.根據權利要求1所述的一種全氮生長直拉硅單晶的方法，其特征在于：所用氮氣氣源壓力與氬氣氣源壓力相等，該壓力為0.5Mpa-0.7Mpa。
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