[發明專利]一種大尺寸GaSb單晶的快速生長方法在審
| 申請號： | 201810332572.8 | 申請日： | 2018-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN108441961A | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發明（設計）人： | 李璐杰;徐永寬;程紅娟;張穎武;練小正;于凱;霍曉青 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十六研究所 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B15/36 |
| 代理公司： | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 王鳳英 |
| 地址： | 300220*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶 晶錠 寬頸 籽晶 制備 晶體生長過程 快速生長 引晶 單晶生長過程 單晶生長設備 多次使用 固定支架 提拉裝置 細頸部位 籽晶結構 放肩 熔體 細頸 制作 | ||
【權利要求書】：
1.一種大尺寸GaSb單晶的快速生長方法，其特征在于，選用直徑大于或等于所要制備的GaSb晶錠尺寸的GaAs晶錠制作籽晶；該籽晶結構包括細頸部分以及直徑不小于所要制備的GaSb晶錠直徑的寬頸部分；將細頸部位固定于籽晶固定支架上，并連接于提拉裝置上；寬頸部位在GaSb晶體生長過程中用于引晶；在GaSb晶體生長過程中，寬頸部位的1-2cm部分進入GaSb熔體完成引晶過程。
2.根據權利要求1所述的一種大尺寸GaSb單晶的快速生長方法，其特征在于，在制備籽晶之前，首先對GaAs晶錠底部進行拋光處理，以保證其表面粗糙度Ra<1nm。
3.根據權利要求2所述的一種大尺寸GaSb單晶的快速生長方法，其特征在于，拋光處理后對GaAs晶錠進行表面清洗，以保證籽晶的清潔度。
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