[發明專利]一種微納晶體管與微納晶體管制作方法

在審

• 申請號: 201810332029.8
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN108461535A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 任遠;陳志濤;劉曉燕;潘章旭;李葉林;龔政;張佰君
• 申請（專利權）人: 廣東省半導體產業技術研究院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 梁香美

1.一種微納晶體管，其特征在于，所述微納晶體管包括襯底、緩沖層、外延層、勢壘層、柵極介質層、柵極金屬層、源極金屬層以及漏極金屬層，所述緩沖層鋪設于所述襯底，所述外延層的端部與所述緩沖層面連接，所述勢壘層鋪設與所述外延層上，所述柵極介質層鋪設于所述勢壘層上，所述柵極金屬層鋪設于所述柵極介質層上，所述源極金屬層與所述漏極金屬層分別鋪設于所述勢壘層的靠近兩端的位置，且制作所述緩沖層與所述外延層的材料相同。

2.如權利要求1所述的微納晶體管，其特征在于，所述外延層的截面的形狀為三角形或梯形。

3.如權利要求2所述的微納晶體管，其特征在于，所述微納晶體管還包括掩膜層，所述掩膜層鋪設于所述緩沖層上，且所述掩膜層設置有生長區，所述外延層沿所述生長區進行外延生長，以使除所述生長區外的所述外延層的形狀為三角形或梯形。

4.如權利要求3所述的微納晶體管，其特征在于，制作所述掩膜層的材料包括耐高溫的絕緣材料。

5.如權利要求4所述的微納晶體管，其特征在于，所述耐高溫的絕緣材料包括SiO2，SiNx，AlO。

6.如權利要求1所述的微納晶體管，其特征在于，制作所述緩沖層的材料包括高阻材料。

7.如權利要求6所述的微納晶體管，其特征在于，制作所述緩沖層與所述外延層的材料均包括GaN。

8.如權利要求7所述的微納晶體管，其特征在于，制作所述勢壘層的材料均包括AlGaN、InAlN或AlN。

9.一種微納晶體管制作方法，其特征在于，所述微納晶體管制作方法包括：

在襯底上外延生長出緩沖層；

在所述緩沖層上再次外延生長出外延層，其中，制作所述緩沖層與所述外延層的材料相同；

在所述外延層上繼續生長勢壘層；

在所述勢壘層上制作柵極介質層；

在所述柵極介質層上制作柵極金屬層；

在所述勢壘層上的靠近兩端的位置分別制作源極金屬層與漏極金屬層。

10.如權利要求9所述的微納晶體管制作方法，其特征在于，在所述在所述緩沖層上再次外延生長出外延層的步驟之前，所述微納晶體管制作方法還包括：

在所述緩沖層上制作掩膜層；

在所述掩膜層上刻蝕生長區，以使所述外延層沿所述生長區進行外延生長。