[發(fā)明專(zhuān)利]一種物理氣相沉積法制備黑色碳化鎢復(fù)合涂層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810331973.1
• 申請(qǐng)日: 2018-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108588643B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施正彪;李煜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 精研（東莞）科技發(fā)展有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/06
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/06;C23C14/14;C23C14/16;C23C14/32;C23C14/02
• 代理公司: 北京科家知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11427
• 代理人: 陳娟

本發(fā)明公開(kāi)了一種物理氣相沉積法制備黑色碳化鎢復(fù)合涂層的方法，其包括除油清洗步驟、底層制備步驟、過(guò)渡緩沖層制備步驟、加硬耐磨膜層制備步驟、顏色層制備步驟、冷卻出爐步驟；其中，除油清洗步驟包括有通用除油清洗劑溶液浸泡清洗處理步驟、于酒精中超聲波清洗處理步驟、于100℃超純水中慢拉脫水處理步驟、烘烤步驟。通過(guò)上述工藝步驟設(shè)計(jì)，本發(fā)明的物理氣相沉積法制備黑色碳化鎢復(fù)合涂層的方法所制備而成的黑色碳化鎢復(fù)合涂層具有耐腐蝕性強(qiáng)、抗氧化性好的優(yōu)點(diǎn)，且能夠很好滿(mǎn)足產(chǎn)品日常使用并延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及PVD黑色工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種物理氣相沉積法制備黑色碳化鎢復(fù)合涂層的方法。

背景技術(shù)

當(dāng)前，各種電子產(chǎn)品高速發(fā)展，競(jìng)爭(zhēng)激烈，消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的要求不僅僅是品質(zhì)過(guò)硬、經(jīng)久耐用，還對(duì)外觀要求高端時(shí)尚、色彩絢麗、奪人眼球的特性需求尤為強(qiáng)烈。

需進(jìn)一步指出，對(duì)于傳統(tǒng)的PVD黑色工藝而言，其具有硬度低、抗腐蝕性差、不耐磨、工藝穩(wěn)定性差的缺陷。故而，有必要對(duì)現(xiàn)有的PVD黑色工藝進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種物理氣相沉積法制備黑色碳化鎢復(fù)合涂層的方法，該物理氣相沉積法制備黑色碳化鎢復(fù)合涂層的方法所制備而成的黑色碳化鎢復(fù)合涂層具有耐腐蝕性強(qiáng)、抗氧化性好的優(yōu)點(diǎn)，且能夠很好滿(mǎn)足產(chǎn)品日常使用并延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。

一種物理氣相沉積法制備黑色碳化鎢復(fù)合涂層的方法，包括有以下工藝步驟，具體的：

a、除油清洗：

a1、將需要加工的產(chǎn)品置于通用除油清洗劑溶液中進(jìn)行浸泡清洗處理；

a2、將經(jīng)過(guò)通用除油清洗劑浸泡清洗處理后的產(chǎn)品置于酒精中進(jìn)行超聲波清洗處理，超聲波清洗處理的時(shí)間為3-8分鐘；

a3、將經(jīng)過(guò)超聲波清洗處理后的產(chǎn)品置于超純水中進(jìn)行慢拉脫水處理，超純水為100℃熱水；

a4、將經(jīng)過(guò)超純水慢拉脫水處理后的產(chǎn)品置于烘箱中進(jìn)行烘烤處理，烘箱采用110-180℃循環(huán)風(fēng)進(jìn)行烘烤，烘烤處理的時(shí)間為30-50分鐘；待產(chǎn)品于烘箱中烘烤處理完畢后，將產(chǎn)品移出烘箱并自然冷卻至室溫；

b、底層制備：

b1、將經(jīng)過(guò)烘烤處理且冷卻至室溫的產(chǎn)品置于真空爐中，啟動(dòng)抽真空裝置進(jìn)行抽真空處理并使得真空爐內(nèi)部的真空度達(dá)到0.1Pa，而后開(kāi)啟真空爐的加熱裝置，當(dāng)真空爐內(nèi)部的溫度到達(dá)200℃后開(kāi)始計(jì)時(shí)恒溫35-55分鐘，恒溫時(shí)間到達(dá)之后關(guān)閉真空爐的加熱裝置并停止加熱；

b2、繼續(xù)啟動(dòng)抽真空裝置進(jìn)行抽真空處理，直至真空爐內(nèi)部的真空度達(dá)到（0.5-0.8）×10^-3Pa，而后啟動(dòng)氬氣流量控制器并往真空爐內(nèi)部通入60-100SCCM的氬氣，以使得真空爐內(nèi)部的真空度上升至0.15Pa；

b3、依次打開(kāi)偏壓電源、Cr弧靶電源，偏壓電源的電壓設(shè)定為220-300V，Cr弧靶電源的電流設(shè)定為50-65A，在產(chǎn)品離子轟擊5-8分鐘后關(guān)閉弧靶電源，此時(shí)產(chǎn)品表面沉積Cr金屬底層；

c、過(guò)渡緩沖層制備：

c1、啟動(dòng)氬氣流量控制器并往真空爐內(nèi)通入200-250SCCM的氬氣，以使得真空爐內(nèi)部的真空度上升至0.4-0.8Pa；

c2、將偏壓電源的電壓設(shè)定為100-150V，并開(kāi)啟Cr柱靶中頻電源，Cr柱靶中頻電源的電流設(shè)定為25-35A，在產(chǎn)品離子轟擊15-25分鐘后，產(chǎn)品于Cr金屬底層上沉積Cr過(guò)渡層；