[發明專利]鈣鈦礦光敏層及其制備方法、鈣鈦礦電池有效
| 申請號: | 201810331402.8 | 申請日: | 2018-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN108550700B | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發明(設計)人: | 馬英壯;蔡龍華;劉支賽;陳偉中;方主亮;葛文奇;田清勇;范斌 | 申請(專利權)人: | 昆山協鑫光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 潘艷麗 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈣鈦礦 光敏 及其 制備 方法 電池 | ||
1.一種鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供涂覆液;所述涂覆液為含有胺鹽化合物的鈣鈦礦溶液,所述鈣鈦礦溶液的溶質為鈣鈦礦材料,溶劑為DMF、DMSO或GBL;所述胺鹽化合物為弱酸與甲胺結合的化合物;所述涂覆液中,所述鈣鈦礦材料的濃度為0.1mol/L~2mol/L,所述胺鹽化合物的濃度為0.1mol/L~4mol/L;
將所述涂覆液涂覆在基底上,形成液膜;
對帶有所述液膜的基底進行抽氣結晶;
對抽氣結晶后的基底進行胺鈍化處理;
對胺鈍化處理后的基底進行退火。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,在進行胺鈍化處理之前,還包括對抽氣結晶后的基底進行加熱;所述加熱的溫度為50℃~200℃,所述加熱的時間為5min~60min。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,在所述抽氣結晶時,抽真空的速率為15L/s~70L/s。
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,所述抽氣結晶與所述胺鈍化處理在同一腔室內進行。
5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,所述退火的溫度為50℃~200℃,所述退火的時間為5min~60min。
6.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,所述胺鹽化合物選自醋酸甲胺、碳酸甲胺、檸檬酸甲胺、乳酸甲胺、苯甲酸甲胺、或丙酸甲胺中的一種或幾種。
7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,采用涂布機將所述涂覆液涂覆在基底上。
8.根據權利要求1~7任一項所述的鈣鈦礦光敏層的制備方法,其特征在于,采用甲胺氣體進行所述胺鈍化處理,處理時間為20s~120s。
9.一種鈣鈦礦光敏層,其特征在于,所述鈣鈦礦光敏層通過權利要求1~8任一項的制備方法獲得。
10.一種鈣鈦礦電池,其特征在于,包括權利要求9所述的鈣鈦礦光敏層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





