[發(fā)明專利]一種基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810330325.4 | 申請日： | 2018-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN108428769A | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李明;張放心;張昕昱;劉文 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 合肥市長遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 段曉微 |
| 地址： | 230088 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米壓印圖形 濕法蝕刻 制備工藝 濺射 孔洞 電流擴(kuò)散效率 納米壓印技術(shù) 出納米級 納米壓印 設(shè)備用量 納米級 清洗臺 圖形化 微米級 壓印膠 藥水 底膠 去除 生產(chǎn)成本 制作 | ||
1.一種基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，所述工藝包括圖形化ITO Mesh的制備，所述圖形化ITO Mesh的制備方法如下述步驟：利用納米壓印技術(shù)制作出納米級的Mesh圖形，打掉底膠，露出GaN，濺射ITO，去除壓印膠，得到圖形化ITOMesh。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，采用氧等離子體打掉底膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，所述GaN為P型GaN。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，所述濺射的環(huán)境溫度為常溫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，所述濺射的ITO厚度為40-80nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，所述濺射的直流功率為600-700W。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，所述濺射的直流功率為625W。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述基于納米壓印圖形化ITO Mesh的LED芯片制備工藝，其特征在于，所述濺射的ITO厚度為60nm。
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