[發(fā)明專利]攝像裝置和電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810330102.8
• 申請(qǐng)日: 2014-09-19
• 公開（公告）號(hào): CN108735767A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬田周治;檜山晉;志賀康幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/378
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 衛(wèi)李賢;曹正建

1.一種攝像裝置，包括：

基板；

第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)，其設(shè)置在所述基板中；

第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)，其設(shè)置在所述基板中；

凹槽，其設(shè)置在所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)和所述第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)之間；

第一氧化鉿膜，其設(shè)置在所述溝槽中；

第一氧化鉭膜或第二氧化鉿膜，其設(shè)置在所述溝槽中且位于所述第一氧化鉿膜的內(nèi)側(cè)；

第二氧化鉭膜或第三氧化鉿膜，其設(shè)置在所述溝槽中且位于所述第一氧化鉭膜或所述第二氧化鉿膜的內(nèi)側(cè)；以及

第一氧化硅膜，其在所述溝槽中位于所述第二氧化鉭膜或所述第三氧化鉿膜的內(nèi)側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，還包括第二氧化硅膜，所述第二氧化硅膜位于所述基板上，其中，所述第一氧化鉿膜位于所述第二氧化硅膜上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一氧化硅膜還延伸至所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)上方，并且在所述第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)上方的所述第一氧化硅膜的厚度大于溝槽中的所述第一氧化硅膜的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其還包括光屏蔽膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的攝像裝置，其中，所述光屏蔽膜設(shè)置為對(duì)應(yīng)于所述凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的攝像裝置，其中，所述光屏蔽膜由包括鎢或鋁的材料形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述凹槽的深度大于或等于0.25μm并且小于或等于5μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述凹槽的寬度大于或等于100nm并且小于或等于1000nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一氧化鉿膜的厚度大于或等于1nm并且小于或等于25nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一氧化鉭膜或所述第二氧化鉿膜的厚度大于或等于1nm并且小于或等于25nm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述攝像裝置，其中，所述第二氧化鉭膜或所述第三氧化鉿膜的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一氧化鉿膜和所述第一氧化鉭膜或所述第二氧化鉿膜的總厚度大于或等于2nm并且小于或等于100nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置，其中，所述第二氧化硅膜的厚度為約1nm。

14.一種電子設(shè)備，其設(shè)置有根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的攝像裝置。