[發(fā)明專利]鍺硅外延制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810330070.1
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN108520853A
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭印呈
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種鍺硅外延制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)SiCoNi刻蝕去除氧化層；

2)利用氫氣去除碳；

3)鍺硅外延制造；

4)制造保護(hù)層使保護(hù)層完全覆蓋鍺硅外延結(jié)節(jié)；

5)按保護(hù)層的厚度整體刻蝕去除保護(hù)層；

6)淀積硅覆蓋層。

2.如權(quán)利要求1所述的鍺硅外延制造方法，其特征在于：步驟4)的保護(hù)層為硅層。

3.如權(quán)利要求2所述的鍺硅外延制造方法，其特征在于：所述硅層包含硅烷(SiH4)、二氯硅烷(SiH2Cl2,DCS)或三氯硅烷(SiH2Cl3,TCS)。

4.如權(quán)利要求2所述的鍺硅外延制造方法，其特征在于：步驟4)的保護(hù)層制造溫度為500℃～800℃，制造壓力為3torr～50torr之間,保護(hù)層厚度為

5.如權(quán)利要求1所述的鍺硅外延制造方法，其特征在于：步驟5)刻蝕去除所述保護(hù)層采用化學(xué)刻蝕。

6.如權(quán)利要求2所述的鍺硅外延制造方法，其特征在于：步驟5)刻蝕去除所述保護(hù)層采用氯化氫(HCL)、氫氟酸氣體(HF)或氯氣(Cl₂)。

7.如權(quán)利要求6所述的鍺硅外延制造方法，其特征在于：步驟5)刻蝕去除所述保護(hù)層在溫度可600℃～800C℃之間,壓力可3torr～200torr的高溫高壓條件下進(jìn)行。