[發明專利]存儲器裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810329463.0
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN110391241B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 李書銘;歐陽自明;詹孟璋
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/115
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯

1.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：

一基板；

多個第一柵極結構，形成于該基板上；

一第一介電層，形成于該些第一柵極結構的頂表面及側壁上；

一第二介電層，形成于該第一介電層上，其中該第二介電層與該第一介電層直接接觸，且該第二介電層與該第一介電層為相同材料；

一第三介電層，形成于該些第一柵極結構之間，且定義出暴露出該基板的多個接觸孔；以及

一接觸插塞，填入該些接觸孔中，

其中，該存儲器裝置具有一陣列區及一周邊區，該些第一柵極結構形成于該陣列區中，在該陣列區中，位于該第一柵極結構上的該第二介電層的寬度小于位于該第一柵極結構上的該第一介電層的寬度。

2.如權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該第一介電層及該第三介電層為氮化物。

3.如權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該第一介電層、該第二介電層及該第三介電層為相同材料。

4.如權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，從該第一柵極結構的頂表面起算的該第一介電層與該第二介電層的總厚度為50-150nm。

5.如權利要求2所述的存儲器裝置，其特征在于，更包括一間隙填充介電結構，其中在該陣列區中，該間隙填充介電結構只位于最靠近該周邊區的該第一柵極結構上的該第一介電層的一外側側壁上，該間隙填充介電結構的頂表面與該第一介電層的頂表面共平面，且該間隙填充介電結構與該第一介電層為不同材料。

6.如權利要求5所述的存儲器裝置，其特征在于，更包括一第二柵極結構，形成于該周邊區中，其中該第一介電層更形成于該第二柵極結構的頂表面及側壁上，且該間隙填充介電結構位于該第二柵極結構兩側的該第一介電層的側壁上。

7.如權利要求6所述的存儲器裝置，其特征在于，該第二介電層延伸覆蓋于該間隙填充介電結構上。

8.如權利要求6所述的存儲器裝置，其特征在于，該間隙填充介電結構為氧化物，且位于該陣列區的該第二介電層的頂表面與位于該周邊區的該第二介電層的頂表面共平面。

9.如權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該第一介電層具有從該第一柵極結構的頂表面起算的一第一厚度T1，該第二介電層具有從該第一介電層的頂表面起算的一第二厚度T2，且該第一厚度T1對該第二厚度T2的比率(T1/T2)為0.1-10.0。

10.如權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，在該陣列區中該接觸插塞的一側壁與該第三介電層直接接觸。

11.一種存儲器裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成多個第一柵極結構于該基板上；

形成一第一介電層覆蓋于該基板及該些第一柵極結構的頂表面及側壁上，且該第一介電層未填滿該些第一柵極結構之間的溝槽；

形成一間隙填充介電結構于該第一介電層上并填入該溝槽中，該間隙填充介電結構與該第一介電層為不同材料，其中形成該間隙填充介電結構的步驟包括平坦化步驟，使該間隙填充介電結構的頂表面與該第一介電層的頂表面共平面；

形成一第二介電層于該第一介電層及該間隙填充介電結構上，其中該第二介電層與該第一介電層直接接觸，且該第二介電層與該第一介電層為相同材料；

進行一第一刻蝕制程，移除位于該些第一柵極結構之間的該第二介電層及該間隙填充介電結構；

形成一第三介電層于該些第一柵極結構之間，且定義出暴露出該基板的多個接觸孔；以及

填入一導電材料于該些接觸孔中，以形成一接觸插塞，

其中，該存儲器裝置具有一陣列區及一周邊區，該些第一柵極結構形成于該陣列區中。